SFH601-2_集成电路资料查询网

5–4
SFH601
图示 15.  饱和 电压 相比
集电级 电流 和 调制
depth sfh601-3
V
CEsat
=f (i
C
) (t
一个
=25
°
c)
图示 16.  饱和 电压 相比
集电级 电流 和 调制
depth sfh601-4
V
CEsat
=f (i
C
) (t
一个
=25
°
c)
图示 17.  容许的 脉冲波 加载
d=参数, t
一个
=25
°
c, i
F
=f (t
p
)
图示 18.  容许的 电源 dissi-
pation 为 晶体管 和 二极管
P
tot
=f (t
一个
)
图示 19.  容许的 向前 cur-
rent 二极管
P
tot
=f (t
一个
)
图示 20. 晶体管 电容
c=f(v
O
) (t
一个
=25
°
c, f=1 mhz)

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5–4 SFH601 图示 15. 饱和电压相比集电级电流和调制 depth sfh601-3 V CEsat =f (i C ) (t 一个 =25 ° c) 图示 16. 饱和电压相比集电级电流和调制 depth sfh601-4 V CEsat =f (i C ) (t 一个 =25 ° c) 图示 17. 容许的脉冲波加载 d=参数, t 一个 =25 ° c, i F =f (t p ) 图示 18. 容许的电源 dissi- pation 为晶体管和二极管 P tot =f (t 一个 ) 图示 19. 容许的向前 cur- rent 二极管 P tot =f (t 一个 ) 图示 20. 晶体管电容 c=f(v O ) (t 一个 =25 ° c, f=1 mhz)

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