IRFPS3815
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
这 hexfet
®
电源 mosfets 从 国际的
整流器 utilize 先进的 处理 技巧 至
达到 极其 低 在-阻抗 每 硅 范围.
这个 益处, 联合的 和 这 快 切换 速
和 加固 设备 设计 那 hexfet 电源
mosfets 是 好 知道 为, 提供 这 设计者
和 一个 极其 效率高的 和 可依靠的 设备 为 使用 在
一个 宽 多样性 的 产品.
S
D
G
V
DSS
= 150v
R
ds(在)
= 0.015
Ω
I
D
= 105a
描述
3/14/01
www.irf.com 1
先进的 处理 技术
过激 低 在-阻抗
动态 dv/dt 比率
175
°
c 运行 温度
快 切换
全部地 avalanche 评估
超级的
-
247™
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25
°
C 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 105
I
D
@ t
C
= 100
°
C 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 74 一个
I
DM
搏动 流 电流
390
P
D
@T
C
= 25
°
C 电源 消耗 441 W
直线的 减额 因素 2.9 w/
°
C
V
GS
门-至-源 电压 ± 30 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
1610 mJ
I
AR
avalanche 电流
58 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
38 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
3.0 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 175
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
绝对 最大 比率
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况
–––
0.34
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.24
––– °
c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的
–––
40
热的 阻抗
pd - 93911
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