2004 微芯 技术 公司 ds21227e-页 11
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3.6 写 状态 寄存器 操作指南
(
WRSR
)
这 写 状态 寄存器 操作指南 (
WRSR
) 准许 这
用户 至 选择 一个 的 四 水平 的 保护 为 这
排列 用 writing 至 这 适合的 位 在 这 状态
寄存器. 这 排列 是 分隔 向上 在 四 部分.
这 用户 有 这 能力 至 写-保护 毫无, 一个, 二,
或者 所有 四 的 这 部分 的 这 排列. 这 partitioning
是 控制 作 显示 在 表格 3-2.
这 写-保护 使能 (wpen) 位 是 一个 nonvolatile
位 那 是 有 作 一个 使能 位 为 这 wp
管脚. 这
写-保护 (wp
) 管脚 和 这 写-保护 使能
(wpen) 位 在 这 状态 寄存器 控制 这 程序-
mable 硬件 写-保护 特性. 硬件 写
保护 是 使能 当 wp
管脚 是 低 和 这
wpen 位 是 高. 硬件 写 保护 是 无能
当 也 这 wp 管脚 是 高 或者 这 wpen 位 是 低.
当 这 碎片 是 硬件 写-保护, 仅有的 写
至 nonvolatile 位 在 这 状态 寄存器 是 无能.
看 表格 3-3 为 一个 矩阵变换 的 符合实际 在 这 wpen
位.
看 图示 3-7 为 这 wrsr 定时 sequence.
表格 3-2: 排列 保护
图示 3-7: 写 状态 寄存器 定时 sequence
BP1 BP0
排列 地址
写-保护
00
毫无
01
upper 1/4
(0c00h - 0fffh)
10
upper 1/2
(0800h - 0fffh)
11
所有
(0000h - 0fffh)
所以
SI
CS
91011 12131415
01000000
7654
210
操作指南 数据 至 状态 寄存器
高-阻抗
SCK
0 2345671
8
3