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fqp11n50cf/fqpf11n50cf rev. 一个
fqp11n50cf/fqpf11n50cf 500v n-频道 场效应晶体管
包装 标记 和 订货 信息
电的 特性
T
C
= 25°c 除非 否则 指出
注释:
1. repetitive 比率 : 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度
2. l = 10mh, i
作
= 11a, v
DD
= 50v, r
G
= 25
Ω,
开始 t
J
= 25°c
3. i
SD
≤
11a, di/dt
≤
200a/
µ
s, v
DD
≤
BV
dss,
开始 t
J
= 25°c
4. 脉冲波 测试 : 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%
5. essentially 独立 的 运行 温度
设备 标记 设备 包装 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FQP11N50CF FQP11N50CF 至-220 -- -- 50
FQPF11N50CF FQPF11N50CF 至-220f -- -- 50
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= 250
µ
一个 500 -- -- V
∆
BV
DSS
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数 I
D
= 250
µ
一个, 关联 至 25°c -- 0.5 -- v/°c
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 500 v, v
GS
= 0 v -- -- 10
µ
一个
V
DS
= 400 v, t
C
= 125°c -- -- 100
µ
一个
I
GSSF
门-身体 泄漏 电流, 向前 V
GS
= 30 v, v
DS
= 0 v -- -- 100 nA
I
GSSR
门-身体 泄漏 电流, 反转 V
GS
= -30 v, v
DS
= 0 v -- -- -100 nA
在 特性
V
gs(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
a2.0--4.0v
R
ds(在)
静态的 流-源
在-阻抗
V
GS
= 10 v, i
D
= 5.5 一个 -- 0.48 0.55
Ω
g
FS
向前 跨导 V
DS
= 40 v, i
D
= 5.5 一个
(便条 4)
-- 15 -- S
动态 特性
C
iss
输入 电容 V
DS
= 25 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
-- 1515 2055 pF
C
oss
输出 电容 -- 185 235 pF
C
rss
反转 转移 电容 -- 25 30 pF
切换 特性
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 V
DD
= 250 v, i
D
= 11 一个,
R
G
= 25
Ω
(便条 4, 5)
-- 24 57 ns
t
r
转变-在 上升 时间 -- 70 150 ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 -- 120 250 ns
t
f
转变-止 下降 时间 -- 75 160 ns
Q
g
总的 门 承担 V
DS
= 400 v, i
D
= 11a,
V
GS
= 10 v
(便条 4, 5)
-- 43 55 nC
Q
gs
门-源 承担 -- 8 -- nC
Q
gd
门-流 承担 -- 19 -- nC
流-源 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 流-源 二极管 向前 电流 -- -- 11 一个
I
SM
最大 搏动 流-源 二极管 向前 电流 -- -- 44 一个
V
SD
流-源 二极管 向前 电压 V
GS
= 0 v, i
S
= 11 一个 -- -- 1.4 V
t
rr
反转 恢复 时间 V
GS
= 0 v, i
S
= 11 一个,
dI
F
/ dt = 100 一个/
µ
s
(便条 4)
-- 90 -- ns
Q
rr
反转 恢复 承担 -- 1.5 --
µ
C