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资料编号:333562
 
资料名称:FRF9250D
 
文件大小: 48.02K
   
说明
 
介绍:
14A, -200V, 0.315 Ohm, Rad Hard, P-Channel Power MOSFETs
 
 


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所有 intersil 半导体 产品 是 制造的, 聚集 和 测试 下面
ISO9000
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intersil sa
mercure 中心
100, rue de la fusee
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intersil (台湾) 有限公司.
台湾 限制
7f-6, 非. 101 fu hsing 北 road
taipei, 台湾
republic 的 中国
电话: (886) 2 2716 9310
传真: (886) 2 2715 3029
frf9250d, frf9250r, frf9250h
至-254aa
3 含铅的 电子元件工业联合会 至-254aa 密封的 metal 包装
D
L
Q
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英寸 毫米
NOTESMIN 最大值 最小值 最大值
一个 0.249 0.260 6.33 6.60 -
一个
1
0.040 0.050 1.02 1.27 -
Øb 0.035 0.045 0.89 1.14 2, 3
D 0.790 0.800 20.07 20.32 -
E 0.535 0.545 13.59 13.84 -
e 0.150 典型值 3.81 典型值 4
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1
0.300 bsc 7.62 bsc 4
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J
1
0.140 0.160 3.56 4.06 4
L 0.520 0.560 13.21 14.22 -
ØP 0.139 0.149 3.54 3.78 -
Q 0.110 0.130 2.80 3.30 -
注释:
1. 这些 维度 是 在里面 容许的 维度 的 rev. 一个 的
电子元件工业联合会 外形 至-254aa dated 11-86.
2. 增加 典型地 0.002 英寸 (0.05mm) 为 焊盘 coating.
3. 含铅的 维度 (没有 焊盘).
4. 位置 的 含铅的 至 是 量过的 0.250 英寸 (6.35mm) 从 bot-
tom 的 维度 d.
5. 消逝 至 根基 beo 分开的, terminals 至 情况 陶瓷的 分开的.
6. controlling 维度: inch.
7. 修订 1 dated 1-93.
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