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资料编号:334213
资料名称:
FS30SM-3
文件大小: 46.25K
说明
:
介绍
:
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
: 点此下载
1
2
3
4
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
二月.1999
mitsubishi nch 电源 场效应晶体管
fs30sm-3
高-速 切换 使用
0
10
20
30
40
50
0
4
8
12
16
20
T
C
= 25°c
V
DS
= 10v
脉冲波 测试
0
1
2
3
4
5
0
4
8
12
16
20
T
C
= 25°c
脉冲波 测试
30A
10A
I
D
= 50a
10
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3
5
7
10
3
2
3
5
7
10
4
2
3
2
5
7
10
0
210
1
357357
2
10
2
357
23
2
T
ch
= 25°c
f = 1mh
Z
V
GS
= 0v
Ciss
Coss
Crss
10
0
10
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10
2
23457
10
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10
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4
5
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3
2
3
4
5
7
t
d(止)
t
r
t
f
t
d(在)
T
ch
= 25°c
V
DD
= 80v
V
GS
= 10v
R
GEN
= r
GS
= 50
Ω
0
20
40
60
80
100
10
0
357
2
10
1
357
2
10
2
357
23
V
GS
= 10v
20V
T
C
= 25°c
脉冲波 测试
10
0
10
1
23457
10
2
23457
10
0
10
1
2
3
4
5
7
10
2
2
3
4
5
7
T
C
= 25°c
V
DS
= 10v
脉冲波 测试
75°C
125°C
在-状态 电压 vs.
门-源 电压
(典型)
门-源 电压 v
GS
(v)
流-源 在-状态
电压 v
ds (在)
(v)
在-状态 阻抗 vs.
流 电流
(典型)
流 电流 i
D
(一个)
流-源 在-状态
阻抗 r
ds (在)
(m
Ω
)
转移 特性
(典型)
门-源 电压 v
GS
(v)
流 电流 i
D
(一个)
向前 转移 admittance
vs.流 电流
(典型)
流 电流 i
D
(一个)
向前 转移
ADMITTANCE
y
fs
(s)
切换 特性
(典型)
流-源 电压 v
DS
(v)
电容 vs.
流-源 电压
(典型)
流 电流 i
D
(一个)
电容
ciss, coss, crss (pf)
切换 时间 (ns)
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