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手机版
资料编号:338527
资料名称:
FX70SMJ-03
文件大小: 62.22K
说明
:
介绍
:
Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
: 点此下载
1
2
3
4
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
初步的
注意: 这个 是 不 一个 最终 规格.
一些 参数 限制 是 主题 至 改变.
jan.1999
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
0
–2–4–6–8–10
I
D
= –100a
–35A
–70A
tc = 25°c
脉冲波 测试
–10
0
–5
–7
–2
–3
–10
1
–5
–7
–2
–3
–5
–10
2
–7
–2
–3
–5
10
1
10
2
2
3
5
4
4
7
10
3
2
3
5
7
t
d(止)
t
d(在)
t
r
tch = 25°c
V
GS
= –10v
V
DD
= –15v
R
GEN
= r
GS
= 50
Ω
t
f
0
8
16
24
32
40
–10
0
–2
–10
1
–3
–5
–7
–2
–10
2
–3
–5–7
–2
–10
3
–3
–5
–7
–10V
V
GS
= –4v
tc = 25°c
脉冲波 测试
0
–20
–40
–60
–80
–100
0
–2–4–6–8–10
tc = 25°c
V
DS
= –10v
脉冲波 测试
10
3
3
5
7
10
4
2
3
5
7
10
5
2
3
2
5
7
–10
0
–2
–10
1
–3
–5
–7–3
–5
–7
–2
–3
2
Ciss
Coss
Crss
tch = 25°c
f = 1mh
Z
V
GS
= 0v
–10
0
–10
1
–2
–3
–5
–7
–10
2
–2
–3
–5
–7
10
1
2
3
4
5
7
10
2
2
3
4
5
7
10
0
T
C
= 125°c
75°C
25°C
V
DS
= –10v
脉冲波 测试
在-状态 电压 vs.
门-源 电压
(典型)
门-源 电压 v
GS
(v)
流-源 在-状态
电压 v
ds (在)
(v)
在-状态 阻抗 vs.
流 电流
(典型)
流 电流 i
D
(一个)
流-源 在-状态
阻抗 r
ds (在)
(m
Ω
)
转移 特性
(典型)
门-源 电压 v
GS
(v)
流 电流 i
D
(一个)
向前 转移 admittance
vs.流 电流
(典型)
流 电流 i
D
(一个)
向前 转移
ADMITTANCE
y
fs
(s)
切换 特性
(典型)
流-源 电压 v
DS
(v)
电容 vs.
流-源 电压
(典型)
流 电流 i
D
(一个)
电容
ciss, coss, crss (pf)
切换 时间 (ns)
mitsubishi pch 电源 场效应晶体管
fx70smj-03
高-速 切换 使用
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