©2000 仙童 半导体 国际的
rev. 一个, july 2000
FYPF1004DN
典型 特性
图示 1. 典型 向前 电压 特性
(每 二极管)
图示 3. 典型 接合面 电容
(每 二极管)
图示 5. 向前 电流 减额 曲线
图示 2. 典型 反转 电流
vs. 反转 电压 (每 二极管)
图示 4. 热的 阻抗 特性
(每 二极管)
图示 6. 非-repetive sureg 电流
(每 二极管)
0.01
0.1
1
10
0.0 0.5 1.0 1.5
T
J
=125
o
C
T
J
=75
o
C
T
J
=25
o
C
向前 电压 漏出, v
F
[V]
向前 电流, i
F
[A]
0 10203040
80
90
100
200
300
400
500
600
700
T
J
=25
o
C
接合面 电容, c
J
[pF]
反转 电压, v
R
[V]
0 20406080100120140160
0
2
4
6
8
10
12
直流
平均 向前 电流, i
f(av)
[A]
情况 温度, t
C
[
o
C]
0 10203040
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T
J
=150
o
C
T
J
=125
o
C
T
J
=75
o
C
T
J
=25
o
C
反转 电流, i
R
[mA]
反转 电压, v
R
[V]
100µ 1m 10m 100m 1 10
1
10
瞬时 热的 阻抗 [
o
c/w]
脉冲波 持续时间 [s]
1 10 100
0
20
40
60
80
100
最大值 向前 surge 电流, i
FSM
[A]
号码 的 循环 @ 60hz