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资料编号:339739
 
资料名称:S29CD016G0JFAN011
 
文件大小: 1607.52K
   
说明
 
介绍:
16 Megabit (512 K x 32-Bit) CMOS 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/Write Flash Memory
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
16 S29CD016G
s29cd016_00_a4 十一月 5, 2004
进步 信息
Ta bl e 2 . bank 分派 为 激励 bank
sector 设备
同时发生的 读/写 行动 和 零 latency
这 设备 是 有能力 的 读 数据从 一个 bank 的 记忆 当 程序-
ming 或者 erasing 在 这 其它 bank 的 记忆. 一个 擦掉 运作 将 也 是
suspended 至 读 从 或者 程序 至 另一 location 在里面 这 一样 bank (ex-
cept 这 sector 正在 erased). 谈及 至 这 表格 在“dc characteristics” 在
页 67为 读-当-程序 和 读-当-擦掉 电流 规格.
同时发生的 读/写 行动 是 有效的 为 两个都 这 主要的 flash 记忆
排列 和 这 secsi otp sector. simultaneo美国 读/写 是 无能 在 这
cfi 和 password 程序/核实 行动. ppb 程序/擦掉 行动 和
这 password unlock 运作 准许 reading 数据 从 the 大 (75%) bank
当 读 这 运作 状态 的 这些 commands 从 这 小 (25%)
bank.
Ta b l e 3 . 订货 选项 00
Ta bl e 4 . 订货 选项 01
writing commands/command sequences
至 写 一个 command 或者 command sequence (这个 包含 程序编制 数据
至 这 设备 和 erasing sectors 的 记忆), 这 系统 必须 驱动 we# 和
ce# 至 v
IL
, 和 oe# 至 v
IH
.
这 设备 特性 一个
unlock 绕过
模式 至 facilitate faster 程序编制.
once 这 设备 enters 这 unlock 绕过 模式, 仅有的 二 写 循环 是 re-
quired 至 程序 一个 文字 或者 字节, instead 的 四. 这“sector 擦掉 和 程序
suspend command” 在 页49包含 详细信息 在 程序编制 数据 至 这 de-
恶行 使用 两个都 标准 和 unlock 绕过 command sequences.
一个 擦掉 运作 能 擦掉 一个 sector, 多样的 sectors, 或者 这 全部 设备.
表格 12 在 页 34表格 13页 36表明 这 地址 空间 那
各自 sector occupies. 一个 “sector address” 组成 的 这 地址 位 必需的 至
uniquely 选择 一个 sector. 这“command definitions” 在 页 43包含 详细信息
关于 erasing 一个 sector 或者 这 全部 碎片, 或者 suspending/resuming 这 擦掉
运作.
之后 这 系统 写 这 autoselect command sequence, 这 设备 enters 这
autoselect 模式. 这 系统 能 然后 读 autoselect 代号 从 这 内部的
寄存器 (这个 是 独立的 从 这 记忆 排列) 在 dq7–dq0. 标准 读
Bank 订货 选项 00 订货 选项 01
bank 0 小 bank big bank
bank 1 big bank 小 bank
Bank a18:a17
bank 0 00
bank 1 01, 1x
Bank a18:a17
bank 0 0x, 10
bank 1 11
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