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资料编号:339739
 
资料名称:S29CD016G0JFAN011
 
文件大小: 1607.52K
   
说明
 
介绍:
16 Megabit (512 K x 32-Bit) CMOS 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/Write Flash Memory
 
 


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20 S29CD016G
s29cd016_00_a4 十一月 5, 2004
进步 信息
便条:
运作 是 显示 为 这 32-位 数据 总线.
图示 1. 异步的 读 运作
同步的 (burst) 读 运作
这 设备 是 有能力 的 performing burst 读 行动 至 改进 总的 系统
数据 throughput. 这 2, 4, 和 8 翻倍 文字 accesses 是 configurable 作 直线的
burst accesses. 所有 burst 行动 提供 wrap 周围 直线的 burst accesses.
额外的 选项 为 所有 burst 模式 包含 最初的 进入 延迟 配置
(2–16 clks) 设备 配置 为 burst 模式 运作 是 accomplished 用
writing 这 配置 寄存器 和 这 desired burst 配置 informa-
tion. once 这 配置 寄存器 是 written 至 使能 burst 模式 运作,
所有 subsequent 读 从 这 排列 是 returned 使用 这 burst 模式 protocols.
像 这 主要的 记忆 进入, 这 secsi sector 记忆 是 accessed 和 这
一样 burst 或者 异步的 定时 作 定义 在 这 配置 寄存器. 如何-
总是, 这 用户 必须 认识 burst 行动 past 这 256 字节 secsi boundary
returns invalid 数据.
burst 读 行动 出现 仅有的 至 这 主要的 flash 记忆 arrays. 这 configu-
限定 寄存器 和 保护 位 是 treated 作 单独的 循环 读, 甚至 当
burst 模式 是 使能. 读 行动 至 这些 locations 结果 在 这 数据 re-
maining 有效的 当 oe# 是 在 v
IL
, regardless 的 这 号码 的 clk 循环 应用
至 这 设备.
直线的 burst 读 行动
直线的 burst 读 模式 读 也 2, 4,或者 8 翻倍 words (1 翻倍 文字 = 32
位). (看表格 6页 21为 所有 有效的 burst 输出 sequences). 这 ind/
wait# 管脚 transitions 起作用的 (v
IL
) 在 这 last 转移的 数据 在 一个 直线的
burst 读 在之前 一个 wrap 周围, 表明 那 这 系统 应当 initiate 一个-
其它 adv# 至 开始 这 next burst 进入. 如果 这 系统 持续 至 时钟 这
设备, 这 next 进入 wraps 周围 至 这 开始 地址 的 这 previous
burst 进入. 这 ind/wait# 信号 仍然是 inactive (floating) 当 不 起作用的.
表格 6 在 页 21为 一个 完全 32-位 数据 总线 接口 顺序.
D0 d1 d2 D3 D3
CE#
CLK
ADV#
地址
数据
OE#
WE#
ind/wait#
V
IH
Float
V
OH
地址 0 地址 1 地址 2 地址 3
Float
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