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资料编号:342265
 
资料名称:IRG4PH40UD2
 
文件大小: 248.84K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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2 www.irf.com
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压
600 V
V
GE
= 0v, i
C
= 250µa
V
(br)ces
/
T
J
温度 coeff. 的 损坏 voltage
—0.63—v/°c
V
GE
= 0v, i
C
= 1ma (25°c-150°c)
—1.722.1 V
I
C
= 20a, v
GE
= 15v, t
J
= 25°c
V
ce(在)
集电级-至-发射级 饱和 电压 2.15
I
C
= 40a, v
GE
= 15v, t
J
= 125°c
—1.7—
I
C
= 20a, v
GE
= 15v, t
J
= 150°c
V
ge(th)
门 门槛 电压 3.0 6.0
V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
V
ge(th)
/
T
J
门槛 电压 温度 系数 -13 mv/°c
V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
gfe 向前 跨导
g
11 18 S
V
CE
= 100v, i
C
= 20a
——250
V
GE
= 0v, v
CE
= 600v
I
CES
零 门 电压 集电级 电流 2.0 µA
V
GE
= 0v, v
CE
= 10v, t
J
= 25°c
2500
V
GE
= 0v, v
CE
= 600v, t
J
= 150°c
V
FM
二极管 向前 电压 漏出 3.4 3.8 V
I
F
= 10a, v
GE
= 0v
—3.33.7
I
F
= 10a, v
GE
= 0v, t
J
= 150°c
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流 ±100 nA
V
GE
= ±20v
切换 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
Q
g
总的 门 承担 (转变-在) 110 130
I
C
= 20a
Q
ge
门-至-发射级 承担 (转变-在) 18 24 nC
V
CC
= 400v
Q
gc
门-至-集电级 承担 (转变-在) 36 53
V
GE
= 15v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 23
I
C
= 20a, v
CC
= 600v
t
r
上升 时间 27 ns
V
GE
= 15v, r
G
= 10
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 100 110
T
J
= 25°c
t
f
下降 时间 280 340 活力 losses inclued "tail"
E
转变-在 切换 丧失 1440
I
C
= 20a, v
CC
= 600v
E
转变-止 切换 丧失 1410 µJ
V
GE
= 15v, r
G
= 10
E
tot
总的 切换 丧失 2850 3740
T
J
= 25°c
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 22
I
C
= 20a, v
CC
= 600v
t
r
上升 时间 32 ns
V
GE
= 15v, r
G
= 10
, l = 1.0mh
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 190
T
J
= 150°c
t
f
下降 时间 630 活力 losses inclued "tail"
E
TS
总的 切换 丧失 5360 µJ
L
E
内部的 发射级 电感 13 nH 量过的 5mm froom 包装
C
ies
输入 电容 2100
V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容 99 pF
V
CC
= 30v
C
res
反转 转移 电容 12 f = 1.0mhz
t
rr
二极管 反转 恢复 时间 50 76 ns
T
J
=25°c, v
CC
= 200v, i
F
= 10a, di/dt = 200a/µs
—72110
T
J
=125°c, v
CC
= 200v, i
F
= 10a, di/dt = 200a/µs
I
rr
二极管 顶峰 反转 恢复 电流 4.4 7.0 一个
T
J
=25°c, v
CC
= 200v, i
F
= 10a, di/dt = 200a/µs
—5.98.8
T
J
=125°c, v
CC
= 200v, i
F
= 10a, di/dt = 200a/µs
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担 130 200 nC
T
J
=25°c, v
CC
= 200v, i
F
= 10a, di/dt = 200a/µs
250 380
T
J
=125°c, v
CC
= 200v, i
F
= 10a, di/dt = 200a/µs
di
(rec)m
/dt
二极管 顶峰 比率 的 下降 的 恢复 210 一个/µs
T
J
=25°c, v
CC
= 200v, i
F
= 10a, di/dt = 200a/µs
Duringt
b
—180—
T
J
=125°c, v
CC
= 200v, i
F
= 10a, di/dt = 200a/µs
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