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资料编号:342306
 
资料名称:IRG4PC50KD
 
文件大小: 374K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4PC50KD
www.irf.com
7
图. 15
- 典型 恢复 电流 vs. di
f
/dt
图. 16
- 典型 贮存 承担 vs. di
f
/dt
图. 17
- 典型 di
(rec)m
/dt vs. di
f
/dt
0
300
600
900
1200
1500
100 1000
f
di /dt - (一个s)
RR
Q- (nC)
i =10一个
i =25A
i =50A
F
F
F
v = 200v
t = 125°c
t = 25°c
R
J
J
100
1000
10000
100 1000
f
di /dt - (一个s)
di(rec)m/dt - (一个s)
i =50A
i =25一个
i =10A
F
F
F
v = 200v
t = 125°c
t = 25°c
R
J
J
1
10
100
100 1000
f
di /dt - (一个s)
i - (一个)
IRRM
i =10一个
i =25A
i =50A
F
F
F
v = 200v
t = 125°c
t = 25°c
R
J
J
机械的 绘画, 附录 一个
测试 电路 图解, 附录 b
切换 丧失 波形, 附录 c
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