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资料编号:342312
资料名称:
IRG4PC30K
文件大小: 121.58K
说明
:
介绍
:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4PC30K
2
www.irf.com
参数
最小值
典型值
最大值
单位
情况
Q
g
总的 门 承担 (转变-在)
—
67
100
I
C
= 16a
Q
ge
门 - 发射级 承担 (转变-在)
—
11
16
nC
V
CC
= 400v
看 图.8
Q
gc
门 - 集电级 承担 (转变-在)
—
25
37
V
GE
= 15v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
—
26
—
t
r
上升 时间
—
28
—
T
J
= 25
°
C
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
—
130
200
I
C
= 16a, v
CC
= 480v
t
f
下降 时间
—
120
170
V
GE
= 15v, r
G
= 23
Ω
E
在
转变-在 切换 丧失
—
0.36
—
活力 losses 包含 "tail"
E
止
转变-止 切换 丧失
—
0.51
—
mJ
看 图. 9,10,14
E
ts
总的 切换 丧失
—
0.87
1.3
t
sc
短的 电路 承受 时间
10
——
µs
V
CC
= 400v, t
J
= 125
°
C
V
GE
= 15v, r
G
= 23
Ω
, v
CPK
< 500v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
—
25
—
T
J
= 150
°
c,
t
r
上升 时间
—
29
—
I
C
= 16a, v
CC
= 480v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
—
190
—
V
GE
= 15v, r
G
= 23
Ω
t
f
下降 时间
—
190
—
活力 losses 包含 "tail"
E
ts
总的 切换 丧失
—
1.2
—
mJ
看 图. 11,14
E
在
转变-在 切换 丧失
—
0.26
—
T
J
= 25
°
C
,
V
GE
= 15v, r
G
= 23
Ω
E
止
转变-止 切换 丧失
—
0.36
—
I
C
= 14a, v
CC
= 480v
E
ts
总的 切换 丧失
—
0.62
—
活力 losses 包含 "tail"
L
E
内部的 发射级 电感
—
13
—
nH
量过的 5mm 从 包装
C
ies
输入 电容
—
920
—
V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容
—
110
—
pF
V
CC
=
30V
看 图. 7
C
res
反转 转移 电容
—
27
—ƒ
= 1.0mhz
切换 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
ns
ns
参数
最小值
典型值
最大值
单位
情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压
600
——
VV
GE
= 0v, i
C
= 250µa
V
(br)ecs
发射级-至-集电级 损坏 电压
18
——
VV
GE
= 0v, i
C
= 1.0a
V
(br)ces
/
T
J
温度 coeff. 的 损坏 电压
—
0.54
—
v/
°
CV
GE
= 0v, i
C
= 1.0ma
—
2.21
—
I
C
= 14a
—
2.21
2.7
I
C
= 16a v
GE
= 15v
—
2.88
—
I
C
= 28a
看 图.2, 5
—
2.36
—
I
C
= 16a , t
J
= 150
°
C
V
ge(th)
门 门槛 电压
3.0
—
6.0
V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
V
ge(th)
/
T
J
温度 coeff. 的 门槛 电压
—
-12
—
mv/
°
CV
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
g
fe
向前 跨导
5.4
8.1
—
SV
CE
=
100v, i
C
= 16a
——
250
V
GE
= 0v, v
CE
= 600v
I
CES
零 门 电压 集电级 电流
——
2.0
µ
一个
V
GE
= 0v, v
CE
= 10v, t
J
= 25
°
C
——
1100
V
GE
= 0v, v
CE
= 600v, t
J
= 150
°
C
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流
——
±100
n
一个
V
GE
= ±20v
电的 特性 @ t
J
= 25
°
c (除非 否则 指定)
VV
ce(在)
集电级-至-发射级 饱和 电压
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