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16 meg x 4 fpm dram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
d21_2.p65 – rev. 5/00 ©2000, micron 技术, 公司
16 meg x 4
fpm dram
addressed 通过 这 地址 位. 第一, 这 行 地址 是
latched 用 这 ras# 信号, 然后 这 column 地址 用
cas#. 两个都 设备 提供 快-页-模式 opera-
tion, 准许 为 快 successive 数据 行动 (读,
写, 或者 读-modify-写) 在里面 一个 给 行.
这 mt4lc16m4a7 和 mt4lc16m4t8 必须 是
refreshed periodically 在 顺序 至 retain 贮存 数据.
快 页 模式 进入
各自 location 在 这 dram 是 uniquely addressable
作 提到 在 这 一般 描述. 这 数据 为
各自 location 是 accessed 通过 这 四 i/o 管脚 (dq0-
dq3). 这 we# 信号 必须 是 使活动 至 execute 一个
写 运作; 否则, 一个 读 运作 将 是
执行. 这 oe# 信号 必须 是 使活动 至 使能
这 dq 输出 驱动器 为 一个 读 进入 和 能 是
deactivated 至 使不能运转 输出 数据 如果 需要.
快-页-模式 行动 是 总是 initiated
和 一个 行 地址 strobed 在 用 这 ras# 信号,
followed 用 一个 column 地址 strobed 在 用 cas#, just
像 为 单独的 location accesses. 不管怎样, subsequent
column locations 在里面 这 行 将 然后 是 accessed
在 这 页 模式 循环 时间. 这个 是 accomplished 用
cycling cas# 当 支持 ras# 低 和 进去
新 column 地址 和 各自 cas# 循环. returning
ras# 高 terminates 这 快-页-模式 opera-
tion.
dram refresh
这 供应 电压 必须 是 maintained 在 这 speci-
fied 水平, 和 这 refresh (所需的)东西 必须 是 符合 在
顺序 至 retain 贮存 数据 在 这 dram. 这 refresh
(所需的)东西 是 符合 用 refreshing 所有 8,192 rows (a7)
或者 所有 4,096 rows (t8) 在 这 dram 排列 在 least once
每 64ms. 这 推荐 程序 是 至 execute
4,096 cbr refresh 循环, 也 uniformly 排列 或者
grouped 在 bursts, 每 64ms. 这 mt4lc16m4a7
内部 refreshes 二 rows 为 每 cbr 循环,
whereas 这 mt4lc16m4t8 refreshes 一个 行 为 每
cbr 循环. 所以 和 也 设备, executing 4,096 cbr
循环 覆盖 所有 rows. 这 cbr refresh 将 invoke 这
内部的 refresh 计数器 为 自动 ras# 地址-
ing. alternatively, ras#-仅有的 refresh 能力 是
本质上 提供. 不管怎样, 和 这个 方法 仅有的
一个 行 是 refreshed 在 一个 时间; 所以 为 这 mt4lc16m4a7,
8,192 ras#-仅有的 refresh 循环 必须 是 executed
每 64ms 至 覆盖 所有 rows. 一些 兼容性 issues
将 变为 apparent. 电子元件工业联合会 strongly 推荐
这 使用 的 cbr refresh 为 这个 设备.
一个 optional 自 refresh 模式 是 也 有 在 这
“s” 版本. 这 自 refresh 特性 是 initiated 用
performing 一个 cbr refresh 循环 和 支持 ras#
低 为 这 指定
t
rass. 这 “s” 选项 准许 为
一个 扩展 refresh 时期 的 128ms, 或者 31.25µs 每
行 为 一个 4k refresh 和 15.625µs 每 行 为 一个 8k
refresh, 当 使用 一个 distributed cbr refresh. 这个
refresh 比率 能 是 应用 在 正常的 运作, 作
好 作 在 一个 备用物品 或者 电池 backup 模式.
这 自 refresh 模式 是 terminated 用 驱动 ras#
高 为 一个 最小 时间 的
t
rps. 这个 延迟 准许 为
这 completion 的 任何 内部的 refresh 循环 那 将
是 在 处理 在 这 时间 的 这 ras# 低-至-高
转变. 如果 这 dram 控制 使用 一个 distributed
cbr refresh sequence, 一个 burst refresh 是 不 必需的
在之上 exiting 自 refresh. 不管怎样, 如果 这 dram con-
troller 运用 ras#-仅有的 或者 burst cbr refresh se-
quence, 所有 rows 必须 是 refreshed 在里面 这 平均
内部的 refresh 比率 较早的 至 这 resumption 的 正常的
运作.
备用物品
returning ras# 和 cas# 高 terminates 一个
记忆 循环 和 减少 碎片 电流 至 一个 减少
备用物品 水平的. 这 碎片 是 preconditioned 为 这 next
循环 在 这 ras# 高 时间.
一般 描述
(持续)
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