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16 meg x 4 fpm dram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
d21_2.p65 – rev. 5/00 ©2000, micron 技术, 公司
16 meg x 4
fpm dram
I
CC
运行 情况 和 最大 限制
(注释: 1, 2, 3, 5, 6) (v
CC
= +3.3v ±0.3v)
4K 8K
参数/情况 标识 速 REFRESH REFRESH 单位 注释
备用物品 电流: ttl I
CC
1
所有 1 1 毫安
(ras# = cas# = v
IH
)
备用物品 电流: cmos
(ras# = cas#
V
CC
- 0.2v, dqs 将 是 left 打开, I
CC
2
所有 500 500 µA
其它 输入: v
在
V
CC
- 0.2v 或者 v
在
≤
0.2v)
运行 电流: 随机的 读/写 I
CC
3
-5 170 130 毫安 25
平均 电源 供应 电流 -6 160 120
(ras#, cas#, 地址 cycling:
t
rc =
t
rc [min])
运行 电流: 快 页 模式 I
CC
4
-5 100 100 毫安 25
平均 电源 供应 电流 (ras# = v
IL
,-69090
cas#, 地址 cycling:
t
pc =
t
pc [min])
refresh 电流: ras#-仅有的 I
CC
5
-5 170 130 毫安 22
平均 电源 供应 电流 -6 160 120
(ras# cycling, cas# = v
IH
:
t
rc =
t
rc [min])
refresh 电流: cbr I
CC
6
-5 170 130 毫安 4, 7
平均 电源 供应 电流 -6 160 120
(ras#, cas#, 地址 cycling:
t
rc =
t
rc [min])
refresh 电流: 扩展 (“s” 版本 仅有的)
平均 电源 供应 电流: cas# = 0.2v 或者
cbr cycling; ras# =
t
ras (最小值); we# = v
CC
- 0.2v; I
CC
7
所有 400 400 µA 4, 7
a0-a11, oe# 和 d
在
= v
CC
- 0.2v 或者 0.2v
(d
在
将 是 left 打开)
refresh 电流: 自 (“s” 版本 仅有的)
平均 电源 供应 电流: cbr 和 I
CC
8
所有 400 400 µA 4, 7
RAS#
t
rass (最小值) 和 cas# 使保持 低;
we# = v
CC
- 0.2v; a0-a11, oe# 和 d
在
=
V
CC
- 0.2v 或者 0.2v (d
在
将 是 left 打开)
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