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16 meg x 4 fpm dram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
d21_2.p65 – rev. 5/00 ©2000, micron 技术, 公司
16 meg x 4
fpm dram
交流 电的 特性
(注释: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12) (v
CC
= +3.3v ±0.3v)
交流 特性 -5 -6
参数 标识 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 注释
行-地址 支撑 时间
t
RAH 8 10 ns
ras# 脉冲波 宽度
t
RAS 50 10,000 60 10,000 ns
ras# 脉冲波 宽度 (快 页 模式)
t
RASP 50 125,000 60 125,000 ns 23
ras# 脉冲波 宽度 在 自 refresh
t
RASS 100 100 µs
随机的 读 或者 写 循环 时间
t
RC 90 110 ns
ras# 至 cas# 延迟 时间
t
RCD 18 20 ns 14
读 command 支撑 时间 (关联 至 cas#)
t
RCH 0 0 ns 16
读 command 建制 时间
t
RCS 0 0 ns
refresh 时期
t
REF 64 64 ms 22
refresh 时期 (4,096 循环) “s” 版本
t
REF 128 128 ms 4
ras# precharge 时间
t
RP 30 40 ns
ras# 至 cas# precharge 时间
t
RPC 0 0 ns
ras# precharge 时间 exiting 自 refresh
t
RPS 90 105 ns
读 command 支撑 时间 (关联 至 ras#)
t
RRH 0 0 ns 16
ras# 支撑 时间
t
RSH 13 15 ns
读-写 循环 时间
t
RWC 131 155 ns
ras# 至 we# 延迟 时间
t
RWD 73 85 ns 18
写 command 至 ras# 含铅的 时间
t
RWL 13 15 ns
转变 时间 (上升 或者 下降)
t
T250250ns
写 command 支撑 时间
t
WCH 8 10 ns
写 command 支撑 时间 (关联 至 ras#)
t
WCR 40 45 ns
we# command 建制 时间
t
WCS 0 0 ns 18
写 command 脉冲波 宽度
t
WP 8 10 ns
we# 支撑 时间 (cbr refresh)
t
WRH 10 10 ns 4, 23
we# 建制 时间 (cbr refresh)
t
WRP 10 10 ns 4, 23