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资料编号:349030
 
资料名称:GE28F256J3A-110
 
文件大小: 905.78K
   
说明
 
介绍:
Intel StrataFlash Memory (J3)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
256-mbit j3 (x8/x16)
数据手册
23
R12
t
flqv/
t
FHQV
byte# 至 输出 延迟 1000 1000 1000 1000 1000 1,2
R13 t
FLQZ
byte# 至 输出 在 高 z 1000 1000 1000 1000 1000 1,2,5
R14 t
EHEL
cex 高 至 cex 低 0 0 0 0 0 1,2,5
R15 t
APA
页 地址 进入 时间 25 25 25 30 25 5, 6
R16 t
GLQV
oe# 至 排列 输出 延迟 25 25 25 25 25 4
注释:
CE
X
低 是 定义 作 这 第一 边缘 的 ce0, ce1, 或者 ce2 那 使能 这 设备. ce
X
高 是
定义 在 这 第一 边缘 的 ce0, ce1, 或者 ce2 那 使不能运转 这 设备 (看表格 13).
1. 看 交流 输入/输出 涉及 波形 为 这 最大 容许的 输入 回转
比率.
2. oe# 将 是 delayed 向上 至 t
ELQV
-t
GLQV
之后 这 第一 边缘 的 ce0, ce1, 或者 ce2 那
使能 这 设备 (看表格 13) 没有 impact 在 t
ELQV
.
3. 图示 15, “transient 输入/输出 涉及 波形 为 vccq = 2.7 v–3.6
v” 在 页 29图示 16, “transient 相等的 测试 加载 circuit” 在
30为 测试 特性.
4. 当 读 这 flash 排列 一个 faster t
GLQV
(r16) 应用. 非-排列 读 谈及 至
状态 寄存器 读, query 读, 或者 设备 identifier 读.
5. 抽样, 不 100% 测试.
6. 为 设备 配置 至 标准 文字/字节 读 模式, r15 (t
APA
) 将 equal r2
(t
AVQV
).
图示 9. 单独的 文字 异步的 读 波形
表格 8. 读 行动 (薄板 2 的 2)
异步的
规格
(所有 单位 在 ns 除非
否则 指出)
V
CC
= 2.7 v–3.6 v
(3)
V
CCQ
= 2.7 v–3.6 v
(3)
注释
Bin
-110 -115 -120 -125 -150
# Sym 参数 密度 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
R11
R5
R12
R13
R10
R4
R16
R7
R6
R9
R8R3
R1
R2
R1
一个ddress [a]
cex [e]
oe# [g]
我们#[W]
数据 [d/q]
BYTE#[F]
rp# [p]
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