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资料编号:349030
 
资料名称:GE28F256J3A-110
 
文件大小: 905.78K
   
说明
 
介绍:
Intel StrataFlash Memory (J3)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
256-mbit j3 (x8/x16)
26
数据手册
7.2 写 行动
表格 9. 写 行动
Versis
有效的 为 所有
Speeds
单位 注释
# 标识 参数 最小值 最大值
W1 t
PHWL
(t
PHEL
) rp# 高 恢复 至 we# (ce
X
) going 低 1 µs 1,2,3
W2 t
ELWL
(t
WLEL
)ce
X
(we#) 低 至 we# (ce
X
) going 低 0 ns 1,2,4
W3 t
WP
写 脉冲波 宽度 70 ns 1,2,4
w4 t
DVWH
(t
DVEH
) 数据 建制 至 we# (ce
X
) going 高 50 ns 1,2,5
w5 t
AVWH
(t
AVEH
) 地址 建制 至 we# (ce
X
) going 高 55 ns 1,2,5
w6 t
WHEH
(t
EHWH
)ce
X
(we#) 支撑 从 we# (ce
X
) 高 0 ns 1,2,
w7 t
WHDX
(t
EHDX
) 数据 支撑 从 we# (ce
X
) 高 0 ns 1,2,
w8 t
WHAX
(t
EHAX
) 地址 支撑 从 we# (ce
X
) 高 0 ns 1,2,
w9 t
WPH
写 脉冲波 宽度 高 30 ns 1,2,6
w11 t
VPWH
(t
VPEH
)v
PEN
建制 至 we# (ce
X
) going 高 0 ns 1,2,3
w12 t
WHGL
(t
EHGL
) 写 恢复 在之前 读 35 ns 1,2,7
w13 t
WHRL
(t
EHRL
)we# (ce
X
) 高 至 sts going 低 500 ns 1,2,8
w15 t
QVVL
V
PEN
支撑 从 有效的 srd, sts going 高 0 ns 1,2,3,8,9
注释:
CE
X
低 是 定义 作 这 第一 边缘 的 ce0, ce1, 或者 ce2 那 使能 这 设备. ce
X
高 是 定义 在 这 第一 边缘 的 ce0, ce1,
或者 ce2 那 使不能运转 这 设备 (看表格 13).
1. 读 定时 特性 在 块 擦掉, 程序, 和 锁-位 配置 行动 是 这 一样 作
在 读-仅有的 行动. 谈及 至
交流 characteristics–read-仅有的 行动
.
2. 一个 写 运作 能 是 initiated 和 terminated 和 也 ce
X
或者 we#.
3. 抽样, 不 100% 测试.
4. 写 脉冲波 宽度 (t
WP
) 是 定义 从 ce
X
或者 we# going 低 (whichever 变得 低 last) 至 ce
X
或者 we# going
高 (whichever 变得 高 第一). hence, t
WP
= t
WLWH
= t
ELEH
= t
WLEH
= t
ELWH
.
5. 谈及 至表格 14为 有效的 一个
和 d
为 块 擦掉, 程序, 或者 锁-位 配置.
6. 写 脉冲波 宽度 高 (t
WPH
) 是 定义 从 ce
X
或者 we# going 高 (whichever 变得 高 第一) 至 ce
X
或者 we#
going 低 (whichever 变得 低 第一). hence, t
WPH
= t
WHWL
= t
EHEL
= t
WHEL
= t
EHWL
.
7. 为 排列 进入, t
AVQV
是 必需的 在 增加 至 t
WHGL
为 任何 accesses 之后 一个 写.
8. sts timings 是 为基础 在 sts 配置 在 它的 ry/by# default 模式.
9. V
PEN
应当 是 使保持 在 v
PENH
直到 determination 的 块 擦掉, 程序, 或者 锁-位 配置 success
(sr[1,3,4:5] = 0).
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