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c (tab)
g = 门, c = 集电级,
e = 发射级, tab = 集电级
G
C
E
至-247 ad
特性
• 国际的 标准 包装
电子元件工业联合会 至-247 ad
• 高 电流 处理 能力
• newest 一代 hdmos
TM
处理
• mos 门 转变-在
- 驱动 simplicity
产品
• 交流 发动机 速 控制
• 直流 伺服 和 robot 驱动
• 直流 choppers
• uninterruptible 电源 供应 (ups)
• 切换-模式 和 resonant-模式
电源 供应
有利因素
• 高 电源 密度
• 合适的 为 表面 挂载
• 切换 速 为 高 频率
产品
• 容易 至 挂载 和 1 screw,
(分开的 挂载 screw 孔)
97527a (7/00)
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
BV
CES
I
C
= 250
一个, v
GE
= 0 v 300 V
V
ge(th)
I
C
= 250
一个, v
CE
= v
GE
2.5 5 V
I
CES
V
CE
= 0.8 • v
CES
T
J
= 25
C 200
一个
V
GE
= 0 v T
J
= 125
C1mA
I
GES
V
CE
= 0 v, v
GE
=
20 v
100 nA
V
ce(sat)
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v 1.45 1.6 V
HiPerFAST
TM
IGBT
V
CES
= 300 v
I
C25
= 40 一个
V
ce(sat)典型值
= 1.45 v
t
fi(典型值)
= 180 ns
IXGH20N30
标识 测试 情况 最大 比率
V
CES
T
J
= 25
c 至 150
C 300 V
V
CGR
T
J
= 25
c 至 150
c; r
GE
= 1 m
300 V
V
GES
持续的
20 V
V
GEM
瞬时
30 V
I
C25
T
C
= 25
C40A
I
C90
T
C
= 90
C20A
I
CM
T
C
= 25
c, 1 ms 80 一个
SSOA
V
GE
= 15 v, t
VJ
= 125
c, r
G
= 10
I
CM
= 40 一个
(rbsoa)
clamped inductive 加载, l = 100
H @ 0.8 v
CES
P
C
T
C
= 25
C 200 W
T
J
-55 ... +150
C
T
JM
150
C
T
stg
-55 ... +150
C
最大 含铅的 温度 为 焊接 300
C
1.6 mm (0.062 在.) 从 情况 为 10 s
M
d
挂载 torque (m3) 1.13/10 nm/lb.在.
重量
至-247 ad 6 g
初步的 数据
ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况, 和 维度.
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