gms97c1051/l1051 8-位 cmos 微控制器
hyundai 微电子学
32
图示 5.
程序编制 这 非易失存储器 记忆
p3.0
p3.2
p3.3
p3.4
p3.5
p3.7
V
CC
P1
PGM
数据
Vpp
XTAL2
地
至 increment
地址 计数器
看 非易失存储器
程序编制
4~6MHz
模式 tables
PROG
5V
GMS97C1051
RST
XTAL1
图示 6.
verifying 这 非易失存储器 记忆
p3.0
p3.2
p3.3
p3.4
p3.5
p3.7
V
CC
P1
PGM
数据
5V
5V
XTAL2
地
至 increment
地址 计数器
看 非易失存储器
程序编制
4~6MHz
模式 tables
5V
GMS97C1051
RST
XTAL1
非易失存储器 程序编制 和 verification 特性
表格 9
. 非易失存储器 程序编制 和 verification 特性
参数 标识 最小值 最大值 单位
程序编制 供应 电压 V
PP
12.5 13.0 V
程序编制 供应 电流 I
PP
50 毫安
振荡器 频率 1 / t
CLCL
46MHz
地址 建制 至 PROG 低
t
AVGL
48 t
CLCL
数据 建制 至 PROG 低
t
DVGL
48 t
CLCL
数据 支撑 之后 PROG
t
GHDX
48 t
CLCL
p3.4 ( 使能 ) 高 至 v
PP
t
EHSH
48 t
CLCL
V
PP
建制 至 PROG 低
t
SHGL
10 美国
V
PP
支撑 之后 PROG
t
GHSL
10 美国
PROG Width
t
GLGH
90 110 美国
PROG 高 至 PROG 低
t
GHGL
10 美国
p3.4 ( 使能 ) 低 至 数据 有效的 t
ELQV
48 t
CLCL
数据 float 之后 p3.4 ( 使能 ) t
EHQZ
0 48 t
CLCL
T
一个
= 21
至 27
, v
CC
= 5.0
10%
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