GS1A
–
GS1M
2 的
3
©
2002
W在-T运算Electronics
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
406080100120140160180
T,
含铅的
TEMPER一个TURE
(
C
)
图.1ForwardCurrentDerating曲线
L
°
I , 平均 输出 电流 (一个)
O
Resistive 或者
inductive 加载
0
40
80
120
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
ir, INSTANTANEOUS 反转 电流 ( 一个)
µ
百分比 的 评估 顶峰 反转 电压 (%)
图. 4 典型 反转 特性
T = 125 C
j
°
T = 25 C
j
°
1
10
100
5
10
15
20
25
30
号码 的 循环 @ 60Hz
图.3
最大值非-repetitive 顶峰 fwd surge 电流
I , 顶峰 向前 SURGE 电流 (一个)
FSM
8.3ms 单独的 half sine-波
电子元件工业联合会 方法
0.4 0.8
0.01
0.1
10
V , INSTANTANEOUS 向前 电压 (v)
图. 2 典型 向前 特性
F
I , INSTANTANEOUS 向前 电流 (一个)
F
1.0
T = 25 C
脉冲波 宽度 = 300 s
2% 职责 循环
j
°
µ
0 1.61.2
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