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GT15J321
2002-01-18
1
toshiba insulated 门 双极 晶体管  硅 n 频道 igbt
GT15J321
高 电源 切换 产品
快 切换 产品
•
这 4th 一代
•
fs (快 切换)
•
增强-模式
•
高 速: t
f
=
0.03 µs (典型值.)
•
低 饱和 电压: v
ce (sat)
= 1.90 v (典型值.)
•
frd 包含 在 发射级 和 集电级.
最大 比率
(ta
=
==
=
25°c)
特性 标识 比率 单位
集电级-发射级 电压 V
CES
600 v
门-发射级 电压 V
GES
±
20 v
直流 i
C
15
集电级 电流
1 ms I
CP
30
一个
直流 i
F
15
发射级-集电级 向前
电流
1 ms I
FM
30
一个
集电级 电源 消耗 
(tc
=
25°c)
P
C
30 w
接合面 温度 T
j
150 °c
存储 温度 范围 T
stg
−
55~150 °c
相等的 电路
单位: mm
电子元件工业联合会
―
JEITA
―
toshiba 2-10r1c
重量: 1.7 g 
门
发射级
集电级

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GT15J321 2002-01-18 1 toshiba insulated 门双极晶体管硅 n 频道 igbt GT15J321 高电源切换产品快切换产品 • 这 4th 一代 • fs (快切换) • 增强-模式 • 高速: t f = 0.03 µs (典型值.) • 低饱和电压: v ce (sat) = 1.90 v (典型值.) • frd 包含在发射级和集电级. 最大比率 (ta = == = 25°c) 特性标识比率单位集电级-发射级电压 V CES 600 v 门-发射级电压 V GES ± 20 v 直流 i C 15 集电级电流 1 ms I CP 30 一个直流 i F 15 发射级-集电级向前电流 1 ms I FM 30 一个集电级电源消耗 (tc = 25°c) P C 30 w 接合面温度 T j 150 °c 存储温度范围 T stg − 55~150 °c 相等的电路单位: mm 电子元件工业联合会 ― JEITA ― toshiba 2-10r1c 重量: 1.7 g 门发射级集电级

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