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GT20J101
2002-01-18
1
toshiba insulated 门 双极 晶体管  
硅 n 频道 igbt
GT20J101
高 电源 切换 产品
•
这 3rd 一代
•
增强-模式
•
高 速: t
f
=
0.30 µs (最大值) 
•
低 饱和 电压: v
ce (sat)
= 2.7 v (最大值) 
最大 比率
(ta
=
==
=
25°c)
典型的 标识 比率 单位
集电级-发射级 电压 V
CES
600 v
门-发射级 电压 V
GES
±
20 v
直流 i
C
20
集电级 电流
1 ms I
CP
40
一个
集电级 电源 消耗
(tc
=
25°c)
P
C
130 w
接合面 温度 T
j
150 °c
存储 温度 范围 T
stg
−
55~150 °c
单位: mm
电子元件工业联合会
―
JEITA
―
toshiba 2-16c1c
重量: 4.6 g 
Preliminary

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GT20J101 2002-01-18 1 toshiba insulated 门双极晶体管硅 n 频道 igbt GT20J101 高电源切换产品 • 这 3rd 一代 • 增强-模式 • 高速: t f = 0.30 µs (最大值) • 低饱和电压: v ce (sat) = 2.7 v (最大值) 最大比率 (ta = == = 25°c) 典型的标识比率单位集电级-发射级电压 V CES 600 v 门-发射级电压 V GES ± 20 v 直流 i C 20 集电级电流 1 ms I CP 40 一个集电级电源消耗 (tc = 25°c) P C 130 w 接合面温度 T j 150 °c 存储温度范围 T stg − 55~150 °c 单位: mm 电子元件工业联合会 ― JEITA ― toshiba 2-16c1c 重量: 4.6 g Preliminary

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