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资料编号:359218
 
资料名称:GT20J101
 
文件大小: 259.67K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
 
 


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GT20J101
2002-01-18
2
电的 特性
(ta
=
==
=
25°c)
典型的 标识测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
门 泄漏 电流 I
GES
V
GE
=
±
20 v, v
CE
=
0
±
500 na
集电级 截-止 电流 I
CES
V
CE
=
600 v, v
GE
=
0
1.0 毫安
门-发射级 截-止 电压 V
ge (止)
I
C
=
2 毫安, v
CE
=
5 v 5.0
8.0 V
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce (sat)
I
C
=
20 一个, v
GE
=
15 v
2.1 2.7 V
输入 电容 C
ies
V
CE
=
20 v, v
GE
=
0, f
=
1 mhz
1450
pF
上升 时间 t
r
0.12
转变-在 时间 t
0.40
下降 时间 t
f
0.15 0.30
切换 时间
转变-止 时间 t
inductive 加载
V
CC
=
300 v, i
C
=
20 一个
V
GG
=
±
15 v, r
G
=
56
(note1)
0.50
µ
s
热的 阻抗 R
th (j-c)
0.96 °c/w
note1: 切换 时间 度量 电路 和 输入/输出 波形
note2: 切换 丧失 度量 波形
GT20J301
R
G
I
C
V
CE
l v
CC
V
GE
10%
90%
V
GE
V
CE
I
C
t
d (止)
t
t
d (在)
t
r
t
0
0
t
f
10% 10% 10%
90%
10%
90%
10%
90%
V
GE
V
CE
I
C
E
E
0
0
10%
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