TLE4276GV10_集成电路资料查询网

半导体 组 12 1998-11-01
tle 4276
输出 电压
V
Q
相比
温度
T
j
低 电压 行为
电流 消耗量
I
q
相比
输入 电压
V
I
高 电压 行为
9.0
9.5
0-40 40
10.5
10.0
Q
V
= 13.5 v
V
Ι
V
12080
C
160
T
j
AED01974
6
4
08
0
2
4
R
T
Q
V
Q
V
8
Ι
=
V
V
10
12
V
16
12
20
V
Ι
= 25   c
= 34
L
j
Ω
AED01976
Q
V
0
0
20
30
10
毫安
50
AED01975
q
Ι
10 20
30
V
R
L
= 20
Ω
V
Ι
T
j
= 25  c
0
1.5
1.0
0.5
-50 -25
-2
0
毫安
3.5
3.0
2.5
2.0
Ι
Ι
T
R
j
L
= 25   c
Ω
= 10 k
V
25 50
V
Ι
AED01977
典型 效能 特性 为 v10:

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半导体组 12 1998-11-01 tle 4276 输出电压 V Q 相比温度 T j 低电压行为电流消耗量 I q 相比输入电压 V I 高电压行为 9.0 9.5 0-40 40 10.5 10.0 Q V = 13.5 v V Ι V 12080 C 160 T j AED01974 6 4 08 0 2 4 R T Q V Q V 8 Ι = V V 10 12 V 16 12 20 V Ι = 25 c = 34 L j Ω AED01976 Q V 0 0 20 30 10 毫安 50 AED01975 q Ι 10 20 30 V R L = 20 Ω V Ι T j = 25 c 0 1.5 1.0 0.5 -50 -25 -2 0 毫安 3.5 3.0 2.5 2.0 Ι Ι T R j L = 25 c Ω = 10 k V 25 50 V Ι AED01977 典型效能特性为 v10:

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