首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:36309
 
资料名称:ISL9N302AP3
 
文件大小: 122.52K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs
 
 


: 点此下载
  浏览型号ISL9N302AP3的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号ISL9N302AP3的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号ISL9N302AP3的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号ISL9N302AP3的Datasheet PDF文件第4页
4

5
浏览型号ISL9N302AP3的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号ISL9N302AP3的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号ISL9N302AP3的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号ISL9N302AP3的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
©2002 仙童 半导体 公司 rev. b january 2002
ISL9N302AP3
图示 11. 电容 vs 流 至 源
电压
图示 12. 门 承担 波形 为 常量
门 电流
图示 13. 切换 时间 vs 门 阻抗 图示 14. 切换 时间 vs 门 阻抗
典型 典型的
(持续)
1000
10000
0.1 1 10
c, 电容 (pf)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
C
ISS
= c
GS
+ c
GD
C
OSS
C
DS
+ c
GD
C
RSS
= c
GD
V
GS
= 0v, f = 1mhz
20000
500
30
0
2
4
6
8
10
50 100 150 200 250
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
Q
g
, 门 承担 (nc)
V
DD
= 15v
I
D
= 75a
I
D
= 28a
波形 在
descending 顺序:
0
0
200
400
600
800
1000
0 1020304050
切换 时间(ns)
R
GS
, 门 至 源 阻抗 (
)
V
GS
= 4.5v, v
DD
= 15v, i
D
= 28a
t
r
t
d(在)
t
d(止)
t
f
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
10 20 30 40 50
切换 时间(ns)
R
GS
, 门 至 源 阻抗 (
)
V
GS
= 10v, v
DD
= 15v, i
D
= 28a
t
d(在)
t
f
t
r
0
t
d(止)
测试 电路 和 波形
图示 15. unclamped 活力 测试 电路 图示 16. unclamped 活力 波形
t
P
V
GS
0.01
L
I
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
相异 t
P
获得
必需的 顶峰 i
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
t
AV
0
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com