关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:36311
资料名称:
ISL9N322AP3
文件大小: 140.13K
说明
:
介绍
:
N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs
: 点此下载
2
3
4
5
6
7
8
9
10
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
©2002 仙童 半导体 公司
rev. b, january 2002
isl9n322ap3/isl9n322as3st
图示 17. 门 承担 测试 电路
图示 18. 门 承担 波形
图示 19. 切换 时间 测试 电路
图示 20. 切换 时间 波形
测试 电路 和 波形
(持续)
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(ref)
V
DD
Q
g(th)
V
GS
= 1v
Q
g(5)
V
GS
= 5v
Q
g(tot)
V
GS
= 10v
V
DS
V
GS
I
g(ref)
0
0
Q
gs
Q
gd
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
在
t
d(在)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(止)
t
止
90%
50%
50%
10%
脉冲波 宽度
V
GS
0
0
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com