ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权: 4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况, 和 维度.
IXGH32N50BU1 IXGH32N50BU1S
标识 测试 情况 典型的值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
g
fs
I
C
= i
C90
; v
CE
= 10 v, 15 20 S
脉冲波 测试, t
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2 %
C
ies
2500 pF
C
oes
V
CE
= 25 v, v
GE
= 0 v, f = 1 mhz 270 pF
C
res
70 pF
Q
g
125 150 nC
Q
ge
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v, v
CE
= 0.5 v
CES
23 35 nC
Q
gc
50 75 nC
t
d(在)
25 ns
t
ri
30 ns
t
d(止)
100 200 ns
t
fi
80 150 ns
E
止
0.7 1.5 mJ
t
d(在)
25 ns
t
ri
35 ns
E
在
1mJ
t
d(止)
120 ns
t
fi
120 ns
E
止
1.2 mJ
R
thJC
0.62 k/w
R
thCK
0.25 k/w
反转 二极管 (fred) 典型的 值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值
V
F
I
F
= i
C90
, v
GE
= 0 v, 1.6 V
脉冲波 测试, t
≤
300
µ
s, 职责 循环 d
≤
2 %
I
RM
I
F
= i
C90
, v
GE
= 0 v, -di
F
/dt = 240 一个/
µ
s1015A
t
rr
V
R
= 360 v T
J
=125
°
C 150 ns
I
F
= 1 一个; -di/dt = 100 一个/
µ
s; v
R
= 30 v t
J
=25
°
C35 50ns
R
thJC
1 k/w
inductive 加载, t
J
= 25
°°
°°
°
C
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v, l = 100
µ
h,
V
CE
= 0.8 v
CES
, r
G
= r
止
= 4.7
Ω
remarks: 切换 时间 将
增加 为 v
CE
(clamp) > 0.8 • v
CES
,
高等级的 t
J
或者 增加 r
G
维度 Millimeter 英寸
最小值 最大值 最小值 最大值
一个 4.7 5.3 .185 .209
一个
1
2.2 2.54 .087 .102
一个
2
2.2 2.6 .059 .098
b 1.0 1.4 .040 .055
b
1
1.65 2.13 .065 .084
b
2
2.87 3.12 .113 .123
C .4 .8 .016 .031
D 20.80 21.46 .819 .845
E 15.75 16.26 .610 .640
e 5.20 5.72 0.205 0.225
L 19.81 20.32 .780 .800
L1 4.50 .177
∅
P 3.55 3.65 .140 .144
Q 5.89 6.40 0.232 0.252
R 4.32 5.49 .170 .216
S 6.15 BSC 242 BSC
e
∅
P
inductive 加载, t
J
= 125
°°
°°
°
C
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v, l = 100
µ
H
V
CE
= 0.8 v
CES
, r
G
= r
止
= 4.7
Ω
remarks: 切换 时间 将
增加 为 v
CE
(clamp) > 0.8 • v
CES
,
高等级的 t
J
或者 增加 r
G
最小值 推荐 footprint
(维度 在 英寸 和 (mm))
至-247 ad 外形
1. 门
2. 集电级
3. 发射级
4. 集电级
维度 Millimeter 英寸
最小值 最大值 最小值 最大值
一个 4.83 5.21 .190 .205
A1 2.29 2.54 .090 .100
A2 1.91 2.16 .075 .085
b 1.14 1.40 .045 .055
b1 1.91 2.13 .075 .084
C 0.61 0.80 .024 .031
D 20.80 21.34 .819 .840
E 15.75 16.13 .620 .635
e 5.45 BSC .215 BSC
L 4.90 5.10 .193 .201
L1 2.70 2.90 .106 .114
L2 2.10 2.30 .083 .091
L3 0.00 0.10 .00 .004
L4 1.90 2.10 .075 .083
ØP 3.55 3.65 .140 .144
Q 5.59 6.20 .220 .244
R 4.32 4.83 .170 .190
S 6.15 BSC .242 BSC
至-247 smd 外形
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