半导体 组 3
sfh 325
sfh 325 fa
Kennwerte
(
T
一个
= 25
°
c,
λ
= 950 nm)
特性
Bezeichnung
描述
标识
标识
Wert
值
Einheit
单位
sfh 325 sfh 325 fa
wellenlänge der 最大值 fotoempfindlichkeit
wavelength 的 最大值 敏锐的
λ
s 最大值
860 900 nm
spektraler bereich der fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
最大值
谱的 范围 的 敏锐的
S
= 10 % 的
S
最大值
λ
380 ... 1150 730 ... 1120 nm
bestrahlungsempfindliche fläche
(∅
240
µ
m)
radiant 敏感的 范围
一个
0.045 0.045 mm
2
abmessung der chipfläche
维度 的 碎片 范围
L
×
B
L
×
W
0.45
×
0.45 0.45
×
0.45 mm
×
mm
abstand chipoberfläche zu gehäuseober-
fläche
距离 碎片 front 至 情况 表面
H
0.5 ... 0.7 0.5 ... 0.7 mm
Halbwinkel
half 角度
ϕ±
60
±
60 Grad
deg.
kapazität,
V
CE
= 0 v,
f
= 1 mhz,
E
= 0
电容
C
CE
5.0 5.0 pF
Dunkelstrom
dark 电流
V
CE
= 25 v,
E
= 0
I
CEO
1 (
≤
200) 1 (
≤
200) nA
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