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所有 intersil 半导体 产品 是 制造的, 聚集 和 测试 下面
ISO9000
质量 系统 certification.
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http://www.intersil.com
消逝 特性
消逝 维度:
1650
µ
m x 2540
µ
m x 483
µ
m
敷金属:
类型: metal 1: alcu (1%)
厚度: metal 1: 8k
Å
±
0.4k
Å
类型: metal 2: alcu (1%)
厚度: metal 2: 16k
Å
±
0.8k
Å
基质 潜在的 (powered 向上):
v-
passivation:
类型: 渗氮
厚度: 4k
Å
±
0.4k
Å
晶体管 计数:
124
处理:
高 频率 双极 dielectric 分开
敷金属 掩饰 布局
HA5022
-in1
V+
OUT1
+IN2
DIS2
v-
NC
OUT2
-in2
DIS1
+IN1
HA5022