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资料编号:370306
 
资料名称:HM624100HCJP-10
 
文件大小: 65.17K
   
说明
 
介绍:
4M High Speed SRAM (1-Mword x 4-bit)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
hm624100hc 序列
6
直流 特性
(ta = 0 至 +70°c, v
CC
= 5.0 v ± 10 %, v
SS
= 0v)
参数 标识 最小值 Typ*
1
最大值 单位 测试 情况
输入 泄漏 电流 II
LI
I 2 µA vin = v
SS
至 v
CC
输出 泄漏 电流 II
LO
I 2 µA vin = v
SS
至 v
CC
运作 电源 供应 电流 I
CC
140 毫安 最小值 循环
CS
= v
IL
, lout = 0 毫安
其它 输入 = v
IH
/v
IL
备用物品 电源 供应 电流 I
SB
40 毫安 最小值 循环,
CS
= v
IH
,
其它 输入 = v
IH
/v
IL
I
SB1
TBD 5 毫安 f = 0 mhz
V
CC
CS
V
CC
- 0.2 v,
(1) 0 v Vin 0.2 v 或者
(2) V
CC
vin v
CC
- 0.2 v
—*
2
TBD*
2
1.2*
2
输出 电压 V
OL
0.4 V I
OL
= 8 毫安
V
OH
2.4 V I
OH
= –4 毫安
注释: 1. 典型 值 是 在 v
CC
= 5.0 v, ta = +25°c 和 不 有保证的.
2. 这个 特性 是 有保证的 仅有的 为 l-版本.
电容
(ta = +25°c, f = 1.0 mhz)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
输入 capacitance*
1
Cin 6 pF vin = 0 v
输入/输出 capacitance*
1
C
i/o
——8 pFV
i/o
= 0 v
便条: 1. 这个 参数 是 抽样 和 不 100% 测试.
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