hi-sincerity
微电子学 corp.
规格. 非. : he6762
issued 日期 : 1994.11.09
修订 日期 : 2002.01.15
页 非. : 1/3
HD44H11 hsmc 产品 规格
HD44H11
npn 外延的 planar 晶体管
描述
这 hd44h11 是 设计 为 各种各样的 明确的 和 一般 目的
产品, 此类 作:输出 和 驱动器 stages 的 放大器 运行
在 发生率 从 直流 至 更好 比 1mhz; 序列, 调往 和
切换 regulators; 低 和 高 频率 反相器/转换器;
和 许多 其他.
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
•
最大 温度
存储 temperature............................................................................................-55 ~ +150
°
C
接合面 温度 .....................................................................................+150
°
c 最大
•
最大 电源 消耗
总的 电源 消耗 (tc=25
°
c) ..................................................................................... 50 w
总的 电源 消耗 (ta=25
°
c) .................................................................................. 1.67 w
•
最大 电压 和 电流
bvcbo 集电级 至 根基 电压.......................................................................................80 v
bvceo 集电级 至 发射级 电压....................................................................................80 v
bvebo 发射级 至 根基 电压............................................................................................5 v
ic 集电级 电流.............................................................................................................10 一个
ib 根基 电流.....................................................................................................................5 一个
特性
(ta=25
°
c)
标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
BVCBO 80 - - V ic=100ma, ib=0
BVCEO 80 - - V ic=100ma, ib=0
BVCES 80 - - V ic=1ma, ic=0
BVEBO 5 - - V IE=1mA
ICES - - 10 uA VCE=80V
IEBO - - 100 uA VEB=5V
*vce(sat) - - 1 V ic=8a, ib=0.4a
*vbe(sat) - - 1.5 V ic=8a, ib=0.8a
*hFE1 60 - - ic=2a, vce=1v
*hFE2 40 - - ic=4a, vce=1v
Cob - 130 - pF VCB=10V
fT - 50 - MHz vce=1v, ic=500ma, f=100mhz
*pulse 测试: 脉冲波 width
≤
380us, 职责 循环
≤
2%
至-220
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