2mbi 50p-140
2-包装 igbt
1400V
50A
10 100
10
100
1000
10000
t
f
t
止
t
r
t
在
切换 时间 vs. r
G
V
CC
=600v, i
C
=50a, v
GE
=±15v, t
j
=25°C
门 阻抗 : r
G
[
Ω
]
切换 时间 : t
在
, t
r
, t
止
, t
f
[nsec]
0 100 200 300 400
0
200
400
600
800
1000
V
CC
=400, 600, 800v
0
5
10
15
20
25
门-发射级 电压 : v
GE
[V]
集电级 电流 vs. 集电级-发射级 电压
T
j
=25°C
集电级-发射级-电压 : v
GE
[V]
门 承担: q
g
(nc)
0 1 2 3 4
0
25
50
75
100
125
25°C
T
j
=125°C
向前 电压 vs. 向前 电流
V
GE
=0V
向前 电流 : i
F
[A]
向前 电压 : v
F
[V]
0 25 50 75 100 125
10
100
1000
I
rr
= 25°c
t
rr
= 25°c
I
rr
=125°C
t
rr
=125°C
反转 恢复 特性
t
rr
, i
rr
vs. i
F
反转 恢复 电流 : i
rr
[A]
反转 恢复 时间 : t
rr
[nsec]
向前 电流 : i
F
[A]
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-2
10
-1
10
0
IGBT
FWD
瞬时 热的 阻抗
热的 阻抗 : r
th(j-c)
[°c/w]
脉冲波 宽度 : p
W
[sec]
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
0
100
200
300
400
500
600
rbsoa (repetitive 脉冲波)
SCSOA
(非-repetitive 脉冲波)
反转 片面的 safe 运行 范围
+V
GE
=15v, -v
GE
≤
15v, t
j
≤
125°c, r
G
≥
24
Ω
集电级 电流 : i
C
[A]
集电级-发射级 电压 : v
CE
[V]