HGTG30N60B3_集成电路资料查询网

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图示 11. 转变-止 延迟 时间 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 12. 下降 时间 vs 集电级 至 发射级
电流
图示 13. 转移 典型的 图示 14. 门 承担 波形
图示 15. 电容 vs 集电级 至 发射级 电压
典型 效能 曲线
除非 否则 speciﬁed
(持续)
20 30 6010
250
300
5040
100
200
150
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
t
d(止)i
, 转变-止 延迟 时间 (ns)
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 10v, v
GE
= 15v
T
J
= 150
o
c, v
GE
= 10v, v
GE
= 15v
R
G
= 3
Ω
, l = 1mh,
V
CE
= 480v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
t
fI
, 下降 时间 (ns)
20 30 6010
40
100
120
5040
60
80
T
J
= 150
o
c, v
GE
= 10v 和 15v
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 10v 和 15v
R
G
= 3
Ω
, l = 1mh, v
CE
= 480v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
0
50
100
150
5 789106
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
11
200
250
300
4
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= -55
o
C
职责 循环 <0.5%, v
CE
= 10v
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
Q
G
, 门 承担 (nc)
0
8
10
6
4
2
050
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
V
CE
= 400v
V
CE
= 600v
150 200100
12
14
16
V
CE
= 200v
I
g (ref)
= 1ma, r
L
= 10
Ω
, t
C
= 25
o
C
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
0 5 10 15 20 25
0
c, 电容 (nf)
2
4
6
8
10
C
IES
C
OES
C
RES
频率 = 1mhz
HGTG30N60B3

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5 图示 11. 转变-止延迟时间 vs 集电级至发射级电流图示 12. 下降时间 vs 集电级至发射级电流图示 13. 转移典型的图示 14. 门承担波形图示 15. 电容 vs 集电级至发射级电压典型效能曲线除非否则 speciﬁed (持续) 20 30 6010 250 300 5040 100 200 150 I CE , 集电级至发射级电流 (一个) t d(止)i , 转变-止延迟时间 (ns) T J = 25 o c, v GE = 10v, v GE = 15v T J = 150 o c, v GE = 10v, v GE = 15v R G = 3 Ω , l = 1mh, V CE = 480v I CE , 集电级至发射级电流 (一个) t fI , 下降时间 (ns) 20 30 6010 40 100 120 5040 60 80 T J = 150 o c, v GE = 10v 和 15v T J = 25 o c, v GE = 10v 和 15v R G = 3 Ω , l = 1mh, v CE = 480v I CE , 集电级至发射级电流 (一个) 0 50 100 150 5 789106 V GE , 门至发射级电压 (v) 11 200 250 300 4 T C = 150 o C T C = 25 o C T C = -55 o C 职责循环 <0.5%, v CE = 10v 脉冲波持续时间 = 250 µ s Q G , 门承担 (nc) 0 8 10 6 4 2 050 V GE , 门至发射级电压 (v) V CE = 400v V CE = 600v 150 200100 12 14 16 V CE = 200v I g (ref) = 1ma, r L = 10 Ω , t C = 25 o C V CE , 集电级至发射级电压 (v) 0 5 10 15 20 25 0 c, 电容 (nf) 2 4 6 8 10 C IES C OES C RES 频率 = 1mhz HGTG30N60B3

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