3
电流 转变-在 延迟 时间 t
d(在)i
igbt 和 二极管 在 t
J
= 150
o
C
I
CE
= 1.0a
V
CE
= 0.8 bv
CES
V
GE
= 15v
R
G
= 82
Ω
l = 4mh
测试 电路 (图示 20)
-1317ns
电流 上升 时间 t
rI
-1115ns
电流 转变-止 延迟 时间 t
d(止)i
-7588ns
电流 下降 时间 t
fI
- 258 370 ns
转变-在 活力 E
在
- 385 440 J
转变-止 活力 (便条 3) E
止
- 120 175 J
二极管 向前 电压 V
EC
I
EC
= 1.0a - 1.3 1.8 V
二极管 反转 恢复 时间 t
rr
I
EC
= 1.0a, di
EC
/dt = 200a/
µ
s--50ns
热的 阻抗 接合面 至 情况 R
θ
JC
IGBT - - 2.1
o
c/w
二极管 - - 3
o
c/w
便条:
3. 转变-止 活力 丧失 (e
止
) 是 定义 作 这 integral 的 这 instantaneous 电源 丧失 开始 在 这 trailing 边缘 的 这 输入 脉冲波 和
ending 在 这 要点 在哪里 这 集电级 电流 相等 零 (i
CE
= 0a). 所有 设备 是 测试 每 电子元件工业联合会 标准 非. 24-1 方法 为
度量 的 电源 设备 转变-止 切换 丧失. 这个 测试 方法 生产 这 真实 总的 转变-止 活力 丧失. turn-on losses
包含 losses 预定的 至 二极管 恢复.
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
(持续)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
图示 1. 直流 集电级 电流 vs 情况
温度
图示 2. 最小 切换 safe 运行 范围
图示 3. 运行 频率 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 4. 短的 电路 承受 时间
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
I
CE
, 直流 集电级 电流 (一个)
50
0
4
5
1
25 75 100 125 150
3
2
6
V
GE
= 15v
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
1400
3
0
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
1
2
600 800400200 1000 1200
0
4
6
5
7
T
J
= 150
o
c, r
G
= 82
Ω
, v
GE
= 15v, l = 2mh
f
最大值
, 运行 频率 (khz)
0.5
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
5
10
2.01.0
100
3.0
200
300
f
MAX1
= 0.05 / (t
d(止)i
+ t
d(在)i
)
R
ØJC
= 2.1
o
c/w, 看 注释
P
C
= 传导 消耗
(职责 因素 = 50%)
f
MAX2
= (p
D
- p
C
) / (e
在
+ e
止
)
T
C
V
GE
110
o
C
13V
15V
15V
75
o
C
110
o
C
75
o
C
13V
T
J
= 150
o
c, r
G
= 82
Ω
, l = 4mh, v
CE
= 960v
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
I
SC
, 顶峰 短的 电路 电流 (一个)
t
SC
, 短的 电路 承受 时间 (
µ
s)
13 14 14.5 15
10
12
16
20
18
13.5
14
10
12
16
20
18
14
V
CE
= 840v, r
G
= 82, t
J
= 125
o
C
t
SC
I
SC
hgtp1n120bnd, hgt1s1n120bnds