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资料编号:377182
 
资料名称:HGTP5N120BND
 
文件大小: 216.81K
   
说明
 
介绍:
21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
3
电流 转变-在 延迟 时间 t
d(在)i
igbt 和 二极管 在 t
J
= 150
o
c,
I
CE
= 5a,
V
CE
= 0.8 bv
CES
,
V
GE
= 15v,
R
G
= 25
,
l = 5mh,
测试 电路 (图示 20)
-2025ns
电流 上升 时间 t
rI
-1520ns
电流 转变-止 延迟 时间 t
d(止)i
- 182 280 ns
电流 下降 时间 t
fI
- 175 200 ns
转变-在 活力 E
- 1000 1300
µ
J
转变-止 活力 (便条 3) E
- 560 800
µ
J
二极管 向前 电压 V
EC
I
EC
= 10a - 2.70 3.50 V
二极管 反转 恢复 时间 t
rr
I
EC
= 7a, dl
EC
/dt = 200a/
µ
s - 50 60 ns
I
EC
= 1a, dl
EC
/dt = 200a/
µ
s - 30 40 ns
热的 阻抗 接合面 至 情况 R
θ
JC
IGBT - - 0.75
o
c/w
二极管 - - 1.75
o
c/w
便条:
3. 转变-止 活力 丧失 (e
) 定义 integral instantaneous 电源 丧失 开始 trailing 边缘 输入 脉冲波
ending 在 这 要点 在哪里 这 集电级 电流 相等 零 (i
CE
= 0a). 所有 设备 是 测试 每 电子元件工业联合会 标准 非. 24-1 方法 为
度量 的 电源 设备 转变-止 切换 丧失. 这个 测试 方法 生产 这 真实 总的 转变-止 活力 丧失.
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
(持续)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
图示 1. 直流 集电级 电流 vs 情况
温度
图示 2. 最小 切换 safe 运行 范围
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
I
CE
, 直流 集电级 电流 (一个)
50
0
25 75 100 125 150
5
10
15
25
20
V
GE
= 15v
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
14000
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
600 800400200 1000 1200
0
T
J
= 150
o
c, r
G
= 25
, v
GE
= 15v, l = 5mh
5
10
15
20
25
30
35
hgtg5n120bnd, hgtp5n120bnd, hgt1s5n120bnds
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