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资料编号:377182
 
资料名称:HGTP5N120BND
 
文件大小: 216.81K
   
说明
 
介绍:
21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
 
 


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4
图示 3. 运行 频率 vs 集电级
发射级 电流
图示 4. 短的 电路 承受 时间
图示 5. 集电级 至 发射级 在-状态 电压 图示 6. 集电级 至 发射级 在-状态 电压
图示 7. 转变-在 活力 丧失 vs 集电级
发射级 电流
图示 8. 转变-止 活力 丧失 vs 集电级
发射级 电流
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
4
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
10
108
50
6
100
2
200
T
C
V
GE
75
o
C
12V
75
o
C
15V
T
J
= 150
o
c, r
G
= 25
, l = 5mh,
V
CE
= 960v
T
C
V
GE
12V
15V
110
o
C
110
o
C
f
MAX1
= 0.05 / (t
d(止)i
+ t
d(在)i
)
R
ØJC
= 0.75
o
c/w, 看 注释
P
C
= 传导 消耗
(职责 因素 = 50%)
f
MAX2
= (p
D
- p
C
) / (e
+ e
)
T
C
= 75
o
c, v
GE
= 15v
完美的 二极管
f
最大值
, 运行 频率 (khz)
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
I
SC
, 顶峰 短的 电路 电流 (一个)
t
SC
, 短的 电路 承受 时间 (
µ
s)
11 12 13 14 15
10
20
30
40
20
30
40
50
70
t
SC
I
SC
60
10
15
25
35
80
V
CE
= 840v, r
G
= 25
, t
J
= 125
o
C
T
C
= -55
o
C
024
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
0
5
10
15
6810
30
25
20
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
职责 循环 <0.5%, v
GE
= 12v
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
10
15
20
0246810
5
25
0
30
T
C
= -55
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
职责 循环 <0.5%, v
GE
=
15V
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
E
, 转变-在 活力 丧失 (
µ
j)
2500
1500
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
1000
500
537642
3000
8910
2000
0
R
G
= 25
, l = 5mh, v
CE
= 960v
T
J
= 150
o
c, v
GE
= 12v, v
GE
= 15v
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 12v, v
GE
= 15v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
E
, 转变-止 活力 丧失 (
µ
j)
643572
300
200
400
500
98
600
700
800
900
10
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 12v 或者 15v
T
J
= 150
o
c, v
GE
= 12v 或者 15v
R
G
= 25
, l = 5mh, v
CE
= 960v
hgtg5n120bnd, hgtp5n120bnd, hgt1s5n120bnds
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