HGTP5N120BND_集成电路资料查询网

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图示 9. 转变-在 延迟 时间 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 10. 转变-在 上升 时间 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 11. 转变-止 延迟 时间 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 12. 转变-止 下降 时间 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 13. 转移 典型的 图示 14. 门 承担 波形
典型 效能 曲线
除非 否则 speciﬁed
(持续)
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
t
dI
, 转变-在 延迟 时间 (ns)
3
2
46
20
30
579810
40
35
25
15
R
G
= 25
Ω
, l = 5mh, v
CE
= 960v
T
J
= 25
o
c, t
J
= 150
o
c, v
GE
= 12v
T
J
= 25
o
c, t
J
= 150
o
c, v
GE
= 15v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
t
rI
, 上升 时间 (ns)
0
10
15
40
20
42
30
3765
25
1098
35
R
G
= 25
Ω
, l = 5mh, v
CE
= 960v
T
J
= 25
o
c, t
J
= 150
o
c, v
GE
= 15v
T
J
= 25
o
c, t
J
= 150
o
c, v
GE
= 12v
10
100
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
t
d(止)i
, 转变-止 延迟 时间 (ns)
250
225
200
175
150
23456789
R
G
= 25
Ω
, l = 5mh, v
CE
= 960v
V
GE
= 12v, v
GE
= 15v, t
J
= 150
o
C
V
GE
= 12v, v
GE
= 15v, t
J
= 25
o
C
125
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
t
fI
, 下降 时间 (ns)
150
50
250
100
200
2345678910
R
G
= 25
Ω
, l = 5mh, v
CE
= 960v
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 12v 或者 15v
T
J
= 150
o
c, v
GE
= 12v 或者 15v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
0
10
20
30
1378910 12
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
11
40
50
60
14 15
70
T
C
= 25
o
C
T
C
= -55
o
C
T
C
= 150
o
C
80
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
职责 循环 <0.5%, v
CE
= 20v
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
Q
G
, 门 承担 (nc)
14
4
16
2
6
0
605040
8
10
12
3020100
V
CE
= 800v
V
CE
= 400v
V
CE
= 1200v
I
g(ref)
= 1ma, r
L
= 120
Ω
, t
C
= 25
o
C
hgtg5n120bnd, hgtp5n120bnd, hgt1s5n120bnds

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5 图示 9. 转变-在延迟时间 vs 集电级至发射级电流图示 10. 转变-在上升时间 vs 集电级至发射级电流图示 11. 转变-止延迟时间 vs 集电级至发射级电流图示 12. 转变-止下降时间 vs 集电级至发射级电流图示 13. 转移典型的图示 14. 门承担波形典型效能曲线除非否则 speciﬁed (持续) I CE , 集电级至发射级电流 (一个) t dI , 转变-在延迟时间 (ns) 3 2 46 20 30 579810 40 35 25 15 R G = 25 Ω , l = 5mh, v CE = 960v T J = 25 o c, t J = 150 o c, v GE = 12v T J = 25 o c, t J = 150 o c, v GE = 15v I CE , 集电级至发射级电流 (一个) t rI , 上升时间 (ns) 0 10 15 40 20 42 30 3765 25 1098 35 R G = 25 Ω , l = 5mh, v CE = 960v T J = 25 o c, t J = 150 o c, v GE = 15v T J = 25 o c, t J = 150 o c, v GE = 12v 10 100 I CE , 集电级至发射级电流 (一个) t d(止)i , 转变-止延迟时间 (ns) 250 225 200 175 150 23456789 R G = 25 Ω , l = 5mh, v CE = 960v V GE = 12v, v GE = 15v, t J = 150 o C V GE = 12v, v GE = 15v, t J = 25 o C 125 I CE , 集电级至发射级电流 (一个) t fI , 下降时间 (ns) 150 50 250 100 200 2345678910 R G = 25 Ω , l = 5mh, v CE = 960v T J = 25 o c, v GE = 12v 或者 15v T J = 150 o c, v GE = 12v 或者 15v I CE , 集电级至发射级电流 (一个) 0 10 20 30 1378910 12 V GE , 门至发射级电压 (v) 11 40 50 60 14 15 70 T C = 25 o C T C = -55 o C T C = 150 o C 80 脉冲波持续时间 = 250 µ s 职责循环 <0.5%, v CE = 20v V GE , 门至发射级电压 (v) Q G , 门承担 (nc) 14 4 16 2 6 0 605040 8 10 12 3020100 V CE = 800v V CE = 400v V CE = 1200v I g(ref) = 1ma, r L = 120 Ω , t C = 25 o C hgtg5n120bnd, hgtp5n120bnd, hgt1s5n120bnds

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