HGTP5N120BND_集成电路资料查询网

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图示 15. 电容 vs 集电级 至 发射级
电压
图示 16. 集电级 至 发射级 在-状态 电压
图示 17. normalized 瞬时 热的 回馈, 接合面 至 情况
图示 18. 二极管 向前 电流 vs 向前
电压 漏出
图示 19. 恢复 时间 vs 向前 电流
典型 效能 曲线
除非 否则 speciﬁed
(持续)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
0 5 10 15 20 25
0
0.5
C
IES
C
OES
1.0
C
RES
频率 = 1mhz
c, 电容 (nf)
1.5
2.0
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
0 0.5 1.0
职责 循环 < 0.5%, t
C
= 110
o
C
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
V
GE
= 15v
V
GE
= 10v
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
0
2
4
6
8
10
t
1
, rectangular 脉冲波 持续时间 (s)
Z
θ
JC
, normalized 热的 回馈
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-4
职责 因素, d = t
1
/ t
2
顶峰 t
J
= (p
D
x z
θ
JC
x r
θ
JC
) + t
C
单独的 脉冲波
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
t
1
t
2
P
D
1
10
100
012345678
I
F
, 向前 电流 (一个)
V
F
, 向前 电压 (v)
150
o
C
-55
o
C
25
o
C
60
50
40
30
20
10
0
1234567
I
F
, 向前 电流 (一个)
t, 恢复 时间 (ns)
T
C
= 25
o
c, dl
EC
/ dt = 200a/
µ
s
t
rr
t
一个
t
b
hgtg5n120bnd, hgtp5n120bnd, hgt1s5n120bnds

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6 图示 15. 电容 vs 集电级至发射级电压图示 16. 集电级至发射级在-状态电压图示 17. normalized 瞬时热的回馈, 接合面至情况图示 18. 二极管向前电流 vs 向前电压漏出图示 19. 恢复时间 vs 向前电流典型效能曲线除非否则 speciﬁed (持续) V CE , 集电级至发射级电压 (v) 0 5 10 15 20 25 0 0.5 C IES C OES 1.0 C RES 频率 = 1mhz c, 电容 (nf) 1.5 2.0 I CE , 集电级至发射级电流 (一个) V CE , 集电级至发射级电压 (v) 0 0.5 1.0 职责循环 < 0.5%, t C = 110 o C 脉冲波持续时间 = 250 µ s V GE = 15v V GE = 10v 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 0 2 4 6 8 10 t 1 , rectangular 脉冲波持续时间 (s) Z θ JC , normalized 热的回馈 10 -2 10 -1 10 0 10 -5 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 -4 职责因素, d = t 1 / t 2 顶峰 t J = (p D x z θ JC x r θ JC ) + t C 单独的脉冲波 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 t 1 t 2 P D 1 10 100 012345678 I F , 向前电流 (一个) V F , 向前电压 (v) 150 o C -55 o C 25 o C 60 50 40 30 20 10 0 1234567 I F , 向前电流 (一个) t, 恢复时间 (ns) T C = 25 o c, dl EC / dt = 200a/ µ s t rr t 一个 t b hgtg5n120bnd, hgtp5n120bnd, hgt1s5n120bnds

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