首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:377196
 
资料名称:HGTP12N60C3
 
文件大小: 131.23K
   
说明
 
介绍:
24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
 
 


: 点此下载
  浏览型号HGTP12N60C3的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号HGTP12N60C3的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号HGTP12N60C3的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号HGTP12N60C3的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号HGTP12N60C3的Datasheet PDF文件第6页
6
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2
绝对 最大 比率
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
hgtp12n60c3, hgt1s12n60c3s 单位
集电级 至 发射级 电压 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .bv
CES
600 V
集电级 电流 持续的
在 t
C
= 25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
C25
24 一个
在 t
C
= 110
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
C110
12 一个
集电级 电流 搏动 (便条 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
CM
96 一个
门 至 发射级 电压 持续的. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
GES
±
20 V
门 至 发射级 电压 搏动. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
GEM
±
30 V
切换 safe 运行 范围 在 t
J
= 150
o
c (图示 14) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . SSOA 24a 在 600v
电源 消耗 总的 在 t
C
= 25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P
D
104 W
电源 消耗 减额 t
C
> 25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.83 w/
o
C
反转 电压 avalanche 活力. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . E
ARV
100 mJ
运行 和 存储 接合面 温度 范围 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
J
, t
STG
-40 至 150
o
C
最大 含铅的 温度 为 焊接. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
L
260
o
C
短的 电路 承受 时间 (便条 2) 在 v
GE
= 15v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .t
SC
4
µ
s
短的 电路 承受 时间 (便条 2) 在 v
GE
= 10v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .t
SC
13
µ
s
提醒: 压力 在之上 那些 列表 “Absolute 最大 Ratings” 导致 永久的 损坏 设备. 这个 一个 压力 仅有的 比率 运作
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
注释:
1. repetitive 比率: 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
2. V
ce(pk)
= 360v, t
J
= 125
o
c, r
G
= 25
Ω.
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 至 发射级 损坏 电压 BV
CES
I
C
= 250
µ
一个, v
GE
= 0v 600 - - V
发射级-集电级 损坏 电压 BV
ECS
I
C
= 10ma, v
GE
= 0v 24 30 - V
集电级 至 发射级 泄漏 电流 I
CES
V
CE
= bv
CES
T
C
= 25
o
C - - 250
µ
一个
V
CE
= bv
CES
T
C
= 150
o
C - - 1.0 毫安
集电级 至 发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
I
C
= i
C110
,
V
GE
= 15v
T
C
= 25
o
C - 1.65 2.0 V
T
C
= 150
o
C - 1.85 2.2 V
门 至 发射级 门槛 电压 V
ge(th)
I
C
= 250
µ
一个,
V
CE
= v
GE
T
C
= 25
o
C 3.0 5.0 6.0 V
门 至 发射级 泄漏 电流 I
GES
V
GE
=
±
20V - -
±
100 nA
切换 soa SSOA T
J
= 150
o
C
R
G
= 25
V
GE
= 15v
l = 100
µ
H
V
ce(pk)
= 480v 80 - - 一个
V
ce(pk)
= 600v 24 - - 一个
门 至 发射级 plateau 电压 V
GEP
I
C
= i
C110
, v
CE
= 0.5 bv
CES
- 7.6 - V
在-状态 门 承担 Q
g(在)
I
C
= i
C110
,
V
CE
= 0.5 bv
CES
V
GE
= 15v - 48 55 nC
V
GE
= 20v - 62 71 nC
电流 转变-在 延迟 时间 t
d(在)i
T
J
= 150
o
c,
I
CE
= i
c110,
V
ce(pk)
= 0.8 bv
ces,
V
GE
= 15v,
R
G
= 25
Ω,
l = 100
µ
H
-14-ns
电流 上升 时间 t
rI
-16-ns
电流 转变-止 延迟 时间 t
d(止)i
- 270 400 ns
电流 下降 时间 t
fI
- 210 275 ns
转变-在 活力 E
- 380 -
µ
J
转变-止 活力 (便条 3) E
- 900 -
µ
J
热的 阻抗 R
θ
JC
- - 1.2
o
c/w
便条:
3. 转变-止 活力 丧失 (e
) 定义 integral instantaneous 电源 丧失 开始 trailing 边缘 输入 脉冲波 ending
在 这 要点 在哪里 这 集电级 电流 相等 零 (i
CE
= 0a). 这 hgtp12n60c3 和 hgt1s12n60c3s 是 测试 每 电子元件工业联合会 标准
非. 24-1 方法 为 度量 的 电源 设备 转变-止 切换 丧失. 这个 测试 方法 生产 这 真实 总的 turn-off 活力 loss.
转变-在 losses 包含 二极管 losses.
hgtp12n60c3, hgt1s12n60c3s
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com