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资料编号:377259
 
资料名称:HGTP2N120CN
 
文件大小: 498.55K
   
说明
 
介绍:
13A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
 
 


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4
图示 3. 运行 频率 vs 集电级
发射级 电流
图示 4. 短的 电路 承受 时间
图示 5. 集电级 至 发射级 在-状态 电压 图示 6. 集电级 至 发射级 在-状态 电压
图示 7. 转变-在 活力 丧失 vs 集电级
发射级 电流
图示 8. 转变-止 活力 丧失 vs 集电级
发射级 电流
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
f
最大值
, 运行 频率 (khz)
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
10
5
50
100
200
f
MAX1
= 0.05 / (t
d(止)i
+ t
d(在)i
)
R
ØJC
= 1.2
o
c/w, 看 注释
P
C
= 传导 消耗
(职责 因素 = 50%)
f
MAX2
= (p
D
- p
C
) / (e
ON2
+ e
)
T
C
V
GE
12V
15V
110
o
C
110
o
C
T
J
= 150
o
c, r
G
= 51
, v
GE
= 15v, l = 5mh
1342
完美的 二极管
T
C
= 75
o
c,v
GE
= 15v
T
C
V
GE
75
o
C
12V
75
o
C
15V
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
I
SC
, 顶峰 短的 电路 电流 (一个)
t
SC
, 短的 电路 承受 时间 (
µ
s)
20
30
40
50
10
0
20
30
40
50
10
0
10 14 15131211
V
CE
= 840v, r
G
= 51
, t
J
= 125
o
C
I
SC
t
SC
012
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
0
2
4
345
10
8
6
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
250
µ
s 脉冲波 测试
职责 循环 <0.5%, v
GE
= 12v
T
C
= -55
o
C
6
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
2
4
6
012345
8
0
10
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= -55
o
C
职责 循环 <0.5%, v
GE
= 15v
250
µ
s 脉冲波 测试
E
ON2
, 转变-在 活力 丧失 (
µ
j)
1500
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
1000
500
2.51.5 3.53.02.01.0 4.0 4.5 5.0
2000
0
T
J
= 150
o
c, v
GE
= 12v, v
GE
= 15v
R
G
= 51
, l = 5mh, v
CE
= 960v
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 12v, v
GE
= 15v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
E
, 转变-止 活力 丧失 (
µ
j)
3.02.01.5 2.5 3.51.0
300
200
400
500
4.54.0
600
700
800
900
5.0
R
G
= 51
, l = 5mh, v
CE
= 960v
T
J
= 150
o
c, v
GE
= 12v 或者 15v
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 12v 或者 15v
100
hgtd2n120cns, hgtp2n120cn, hgt1s2n120cns
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