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资料编号:377293
 
资料名称:HGTG10N120BND
 
文件大小: 110.92K
   
说明
 
介绍:
35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
 
 


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3
电流 转变-在 延迟 时间 t
d(在)i
igbt 和 二极管 在 t
J
= 150
o
C
I
CE
= 10a
V
CE
= 0.8 bv
CES
V
GE
= 15v
R
G
= 10
l = 2mh
测试 电路 (图示 20)
-2125ns
电流 上升 时间 t
rI
-1115ns
电流 转变-止 延迟 时间 t
d(止)i
- 190 250 ns
电流 下降 时间 t
fI
- 140 200 ns
转变-在 活力 E
- 1.75 2.3 mJ
转变-止 活力 (便条 3) E
- 1.1 1.4 mJ
二极管 向前 电压 V
EC
I
EC
= 10a - 2.55 3.2 V
二极管 反转 恢复 时间 t
rr
I
EC
= 10a, di
EC
/dt = 200a/
µ
s - 57 70 ns
I
EC
= 1a, di
EC
/dt = 200a/
µ
s - 32 40 ns
热的 阻抗 接合面 至 情况 R
θ
JC
IGBT - - 0.42
o
c/w
二极管 - - 1.25
o
c/w
便条:
3. 转变-止 活力 丧失 (e
) defined integral instantaneous 电源 丧失 开始 trailing 边缘 输入 脉冲波 ending
要点 在哪里 集电级 电流 相等 (i
CE
= 0a). 所有 设备 测试 电子元件工业联合会 标准 非. 24-1 方法 度量
的 电源 设备 转变-止 切换 丧失. 这个 测试 方法 生产 这 真实 总的 转变-止 活力 丧失.
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
(持续)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
图示 1. 直流 集电级 电流 vs 情况
温度
图示 2. 最小 切换 safe 运行 范围
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
I
CE
, 直流 集电级 电流 (一个)
50
0
10
25 75 100 125 150
25
30
15
5
V
GE
= 15v
20
35
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
1400
40
0
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
10
20
600 800400200 1000 1200
0
50
60
30
T
J
= 150
o
c, r
G
= 10
, v
G
= 15v, l = 400
µ
H
HGTG10N120BND
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