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资料编号:377293
 
资料名称:HGTG10N120BND
 
文件大小: 110.92K
   
说明
 
介绍:
35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
 
 


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4
图示 3. 运行 频率 vs 集电级
发射级 电流
图示 4. 短的 电路 承受 时间
图示 5. 集电级 至 发射级 在-状态 电压 图示 6. 集电级 至 发射级 在-状态 电压
图示 7. 转变-在 活力 丧失 vs 集电级
发射级 电流
图示 8. 转变-止 活力 丧失 vs 集电级
发射级 电流
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
T
J
= 150
o
c, r
G
= 10
, l = 2mh, v
CE
= 960v
f
最大值
, 运行 频率 (khz)
2
1
10
2010
50
5
100
T
C
= 75
o
c, v
GE
= 15v, 完美的 二极管
T
C
V
GE
110
o
C
12V
15V
15V
75
o
C
110
o
C
75
o
C
12V
f
MAX1
= 0.05 / (t
d(止)i
+ t
d(在)i
)
R
ØJC
= 0.42
o
c/w, 看 注释
P
C
= 传导 消耗
(职责 因素 = 50%)
f
MAX2
= (p
D
- p
C
) / (e
+ e
)
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
I
SC
, 顶峰 短的 电路 电流 (一个)
t
SC
, 短的 电路 承受 时间 (
µ
s)
12 13 14 15 16
5
10
15
20
50
100
150
250
t
SC
I
SC
25
200
V
CE
= 840v, r
G
= 10
, t
J
= 125
o
C
02 4
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
0
10
30
6810
40
50
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
职责 循环 <0.5%, v
GE
= 12v
T
C
= -55
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
20
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
20
30
40
02 4 6 810
10
50
0
T
C
= -55
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
职责 循环 <0.5%, v
GE
= 15v
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
E
, 转变-在 活力 丧失 (mj)
4
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
3
2
50
5
10
0
15 20
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 12v, v
GE
= 15v
R
G
= 10
, l = 2mh, v
CE
= 960v
1
T
J
= 150
o
c, v
GE
= 12v, v
GE
= 15v
1.5
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
E
, 转变-止 活力 丧失 (mj)
0
50
1.0
0.5
2.0
10
R
G
= 10
, l = 2mh, v
CE
= 960v
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 12v 或者 15v
T
J
= 150
o
c, v
GE
= 12v 或者 15v
15 20
HGTG10N120BND
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