HGTG10N120BND_集成电路资料查询网

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图示 15. 电容 vs 集电级 至 发射级
电压
图示 16. 集电级 至 发射级 在-状态 电压
图示 17. normalized 瞬时 热的 回馈, 接合面 至 情况
图示 18. 二极管 向前 电流 vs 向前
电压 漏出
图示 19. 恢复 时间 vs 向前 电流
典型 效能 曲线
除非 否则 speciﬁed
(持续)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
c, 电容 (nf)
0 5 10 15 20 25
0
C
IES
C
OES
1
3
4
频率 = 1mhz
2
C
RES
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
6
12
01
0
2
3
15
职责 循环 <0.5%, t
C
= 110
o
C
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
9
34
V
GE
= 10v
V
GE
= 15v
t
1
t
2
P
D
单独的 脉冲波
t
1
, rectangular 脉冲波 持续时间 (s)
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-4
职责 因素, d = t
1
/ t
2
顶峰 t
J
= (p
D
x z
θ
JC
x r
θ
JC
) + t
C
Z
θ
JC
, normalized 热的 回馈
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
V
F
, 向前 电压 (v)
I
F
, 向前 电流 (一个)
13456
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
100
10
1
2
I
F
, 向前 电流 (一个)
10
20
70
201
30
60
t, 恢复 时间 (ns)
10
40
5
t
rr
t
一个
50
t
b
2
T
C
= 25
o
c, di
EC
/ dt = 200a/
µ
s
HGTG10N120BND

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6 图示 15. 电容 vs 集电级至发射级电压图示 16. 集电级至发射级在-状态电压图示 17. normalized 瞬时热的回馈, 接合面至情况图示 18. 二极管向前电流 vs 向前电压漏出图示 19. 恢复时间 vs 向前电流典型效能曲线除非否则 speciﬁed (持续) V CE , 集电级至发射级电压 (v) c, 电容 (nf) 0 5 10 15 20 25 0 C IES C OES 1 3 4 频率 = 1mhz 2 C RES I CE , 集电级至发射级电流 (一个) V CE , 集电级至发射级电压 (v) 6 12 01 0 2 3 15 职责循环 <0.5%, t C = 110 o C 脉冲波持续时间 = 250 µ s 9 34 V GE = 10v V GE = 15v t 1 t 2 P D 单独的脉冲波 t 1 , rectangular 脉冲波持续时间 (s) 10 -2 10 -1 10 0 10 -5 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 -4 职责因素, d = t 1 / t 2 顶峰 t J = (p D x z θ JC x r θ JC ) + t C Z θ JC , normalized 热的回馈 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 V F , 向前电压 (v) I F , 向前电流 (一个) 13456 150 o C 25 o C -55 o C 100 10 1 2 I F , 向前电流 (一个) 10 20 70 201 30 60 t, 恢复时间 (ns) 10 40 5 t rr t 一个 50 t b 2 T C = 25 o c, di EC / dt = 200a/ µ s HGTG10N120BND

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