4-1369
11 V
RT
I 4.0v (典型值) 顶 涉及 电压. 绕过 至
agnd 和 一个 1
µ
f tantal 电容 和
一个 0.1
µ
f 碎片 电容.
9V
RM3
V
RB
+
(v
RT
- v
RB
)
涉及 电压 mid 要点. 绕过
至 agnd 和 一个 0.1
µ
f 碎片 电容.
7V
RM2
V
RB
+
(v
RT
- v
RB
)
涉及 电压 mid 要点. 绕过
至 agnd 和 一个 0.1
µ
f 碎片 电容.
4V
RM1
V
RB
+
(v
RT
- v
RB
)
涉及 电压 mid 要点. 绕过
至 agnd 和 一个 0.1
µ
f 碎片 电容.
2V
RB
I 2.0v (典型值) bottom 涉及 电压. 绕过 至
agnd 和 一个 1
µ
f tantal 电容 和
一个 0.1
µ
f 碎片 电容.
6V
在
IV
RT
至 v
RB
相似物 输入.
33 至 40 p1d0 至
P1D7
O TTL 端口 1 一侧 数据 输出.
21 至 28 p2d0 至
P2D7
O 端口 2 一侧 数据 输出.
43 CLKOUT O 时钟 输出. (看 表格 2; 运行
模式 表格).
管脚 描述
(持续)
管脚 非 标识 i/o
典型
电压 水平的 相等的 电路 描述
11
9
7
4
2
R2
r/2
R
R
R
R
R
R
r/2
R1
比较器 1
比较器 63
比较器 64
比较器 127
比较器 128
比较器 191
比较器 192
比较器 255
3
4
---
2
4
---
1
4
---
6
AV
CC
DV
EE3
比较器
AV
CC
AGND
V
REF
21
33
43
40
28
DV
CC2
至
至
DGND2
DV
EE3
DGND1
DV
CC1
100K
HI3026
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