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所有 intersil 半导体 产品 是 制造的, 聚集 和 测试 下面
ISO9000
质量 系统 certification.
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传真: (886) 2 2715 3029
消逝 特性
消逝 维度:
128 毫英寸 x 77 毫英寸
敷金属:
类型: Al
厚度: 10k
Å
±
1k
Å
基质 潜在的
地
passivation:
类型: 渗氮 在 silox
渗氮 厚度: 8k
Å
silox 厚度: 7k
Å
晶体管 计数:
185
处理:
cmos metal 门
敷金属 掩饰 布局
HIN232E
管脚 1 C1+
管脚 2 V+
c1-
管脚 7
管脚 17 V
CC
管脚 3
C2+
管脚 4
c2-
管脚 5
v-
管脚 6
T2
在
管脚 11
T1
在
管脚 12
R1
输出
管脚 13
R1
在
管脚 14
T1
输出
管脚 15
地
管脚 16
T2
输出
管脚 8r2
在
管脚 9t3
输出
管脚 10r2
输出
hin202e thru hin241e