10
肖特基 选择
整流器 d
2
是 一个 clamp 那 catches 这 负的 inductor 摆动
在 这 dead 时间 在 turning 止 这 更小的 场效应晶体管
和 turning 在 这 upper 场效应晶体管. 这 二极管 必须 是 一个
肖特基 类型 至 阻止 这 lossy parasitic 场效应晶体管 身体
二极管 从 组织. 它 是 可接受的 至 omit 这 二极管 和 let
这 身体 二极管 的 这 更小的 场效应晶体管 clamp 这 负的
inductor 摆动, 但是 效率 将 漏出 一个 或者 二 百分比 作 一个
结果. 这 二极管’s 评估 反转 损坏 电压 必须 是
更好 比 这 最大 输入 电压.
hip6004e 直流-直流 转换器 应用
电路
图示 11 显示 一个 应用 电路 的 一个 直流-直流 转换器
为 一个 微处理器. 详细地 信息 在 这 电路,
包含 一个 完全 bill-的-材料 和 电路 板
描述, 能 是 建立 在 an9916. 这个 应用 便条
也 包含 这 应用 信息 为 isl6525, 一个
控制 ic 设计 至 满足 这 vtt 电压 和 电源-
向上 sequencing 规格 给 在 这 intel vrm8.5.
+12V
PGND
HIP6004E
地
LGATE
UGATE
阶段
激励
VCC
+5v 或者 较少
便条:
便条:
V
g-s
≈
V
CC
Q
1
Q
2
+
-
图示 10. upper 门 驱动 - 直接 v
CC
驱动 选项
V
g-s
≈
V
CC
-5v
D
2
+12V
+V
输出
PGND
HIP6004E
VSEN
RT
FB
竞赛
VID25mV
VID0
VID1
VID2
OVP
SS
PGOOD
d/一个
地
监控
OSC
VCC
C
在
L2
C
输出
0.1
µ
F
1
µ
F
0.1
µ
F
0.1
µ
F
470pF
10nF
56K
3.32k
2.4
µ
H
3x1000
µ
F
5x1000
µ
F
0.033
µ
F
LGATE
UGATE
OCSET
阶段
激励
27
D1
Q1
Q2
2N6394
1.8k
1000pF
D
2
F
1
2K
V
在
=
+5V
或者
+12V
1
2
3
4
5
6
7
9
10
11
12
13
14
15
16
17
19
20
18
和
保护
+
-
+
-
组件 选择 注释:
C
输出
- 各自 1000
µ
f 6.3w vdc, rubycon za 序列 或者 相等的.
C
在
- 各自 330
µ
f 25w vdc, rubycon za 序列 或者 相等的.
L
2
- 核心: micrometals t68-52a; winding: 7 转变 的 16awg.
L
1
- 核心: micrometals t50-52; winding: 5 转变 的 16awg.
D
1
- 1n4148 或者 相等的.
D
2
- 3a, 40v schottky, motorola mbr340 或者 相等的.
Q
1
- intersil 场效应晶体管; huf76137.
Q
2
- intersil 场效应晶体管; huf76139.
图示 11. 微处理器 直流-直流 转换器
8
VID3
l1 - 1
µ
H
HIP6004E
: 点此下载
