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fn9034.2
12月 27, 2004
场效应晶体管 选择 和 仔细考虑
在 高-电流 pwm 产品, 这 场效应晶体管 电源
消耗, 包装 选择 和 散热器 是 这
首要的 设计 factors. 这 电源 消耗 包含 二
丧失 组件; 传导 丧失 和 切换 丧失. 这些
losses 是 distributed 在 这 upper 和 更小的
mosfets 符合 至 职责 因素 (看 这 下列的
equations). 这 传导 losses 是 这 主要的 组件
的 电源 消耗 为 这 更小的 mosfets, q2 和 q4 的
图示 1. 仅有的 这 upper mosfets, q1 和 q3 有
重大的 切换 losses, since 这 更小的 设备 转变 在
和 止 在 near 零 电压.
这 equations 假设 直线的 电压-电流 transitions 和
做 不 模型 电源 丧失 预定的 至 这 反转-恢复 的 这
更小的 mosfets 身体 二极管. 这 门-承担 losses 是
dissipated 用 这 驱动器 ic 和 don't 热温 这 mosfets.
不管怎样, 大 门-承担 增加 这 切换 时间,
t
SW
这个 增加 这 upper 场效应晶体管 切换 losses.
确保 那 两个都 mosfets 是 在里面 它们的 最大
接合面 温度 在 高 包围的 温度 用
calculating 这 温度 上升 符合 至 包装
热的-阻抗 规格. 一个 独立的 散热器 将
是 需要 取决于 在之上 场效应晶体管 电源, 包装
类型, 包围的 温度 和 空气 流动.
一个 二极管, anode 至 地面, 将 是 放置 横过 q2 和 q4
的 图示 1. 这些 二极管 function 作 一个 clamp 那 catches
这 负的 inductor 摆动 在 这 dead 时间 在
这 转变 止 的 这 更小的 mosfets 和 这 转变 在 的 这
upper mosfets. 这 二极管 必须 是 一个 肖特基 类型 至
阻止 这 lossy parasitic场效应晶体管 身体 二极管 从
组织. 它 是 通常地 可接受的 至 omit 这 二极管 和 let
这 身体 二极管 的 这 更小的mosfets clamp 这 负的
inductor 摆动, 但是 效率 可以 漏出 一个 或者 二 百分比
作 一个 结果. 这 二极管's rated 反转 损坏 电压
必须 是 更好 比 这 最大 输入 电压.
P
UPPER
I
O
2
r
DS 在
()
×
V
输出
×
V
在
------------------------------------------------------------
I
O
V
在
×
t
SW
×
F
SW
×
2
----------------------------------------------------------+=
P
更小的
I
O
2
r
DS 在
()
×
V
在
V
输出
–
()×
V
在
---------------------------------------------------------------------------------=
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