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dissipated 用 这 驱动器 ic 和 don't 热温 这 mosfets.
不管怎样, 大 门-承担 增加 这 切换 时间,
t
SW
这个 增加 这 upper 场效应晶体管 切换 losses.
确保 那 两个都 mosfets 是 在里面 它们的 最大
接合面 温度 在 高 包围的 温度 用
calculating 这 温度 上升 符合 至 包装
热的-阻抗 specifications. 一个 独立的 散热器 将
是 需要 取决于 在之上 场效应晶体管 电源, 包装
类型, 包围的 温度 和 空气 flow.
一个 二极管, anode 至 地面, 将 是 放置 横过 Q2 和 q4.
这些 二极管 函数 作 一个 clamp 那 catches 这 负的
inductor 摆动 在 这 dead 时间 在 这 转变 止 的
这 更小的 MOSFETs 和 这 转变 在 的 这 upper mosfets.
这 二极管 必须 是 一个 肖特基 类型 至 阻止 这 lossy
parasitic 场效应晶体管 身体 二极管 从 组织. 它 是 通常地
可接受的 至 omit 这 二极管 和 let 这 身体 二极管 的 这
更小的 mosfets clamp 这 负的 inductor 摆动, 但是
efficiency 可以 漏出 一个 或者 二 百分比 作 一个 结果. 这
二极管's 评估 反转 损坏 电压 必须 是 更好
比 这 最大 输入 电压.
P
UPPER
I
O
2
r
DS 在
()
×
V
输出
×
V
在
------------------------------------------------------------
I
O
V
在
×
t
SW
×
F
SW
×
2
----------------------------------------------------------+=
P
更小的
I
O
2
r
DS 在
()
×
V
在
V
输出
–
()×
V
在
---------------------------------------------------------------------------------=
HIP6311
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