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不 显示 在 这些 图解 是 这 deglitching 特性 使用
至 保护 相反 false 睡眠 状态 tripping. 两个都
s3 和 S5
管脚 是 保护 相反 噪音 用 一个 2
µ
s filter (典型地 1 -
4
µ
s). 这个 特性 是 有用的 在 嘈杂的 计算机 环境 如果
这 控制 信号 有 至 travel 在 significant 距离.
additionally, 这
s3 管脚 特性 一个 200
µ
s 延迟 在
transitioning 至 睡眠 states. once 这
s3 管脚 变得 低, 一个
内部的 计时器 是 使活动. 在 这 终止 的 这 200
µ
s 间隔, 如果
这
S5 管脚 是 低, 这 HIP6502B switches 在 S5 睡眠 状态;
如果 这
s5 管脚 是 高, 这 hip6502b 变得 在 s3 睡眠 状态.
软-开始 电路
软-开始 在 睡眠 states (s3, s4/s5)
这 5VSB POR 函数 initiates 这 软-开始 sequence. 一个
内部的 10
µ
一个 电流 源 charges 一个 外部 电容.
这 错误 amplifiers 涉及 输入 是 clamped 至 一个 水平的
均衡的 至 这 ss (软-开始) 管脚 电压. 作 这 ss 管脚
电压 slews 从 关于 1.25v 至 2.5v, 这 输入 clamp
准许 一个 迅速 和 控制 输出 电压 上升.
图示 7 显示 这 软-开始 sequence 为 这 典型
应用 开始-向上 在 睡眠 状态 和 所有 输出 电压
使能. 在 时间 t0 5vsb (偏差) 是 应用 至 这 电路. 在
时间 t1 这 5vsb surpasses por 水平的. 一个 内部的 快
承担 电路 quickly raises 这 ss 电容 电压 至
大概 1v, 然后 这 10
µ
一个 电流 源 持续
这 charging. 这 软-开始 电容 电压 reaches
大概 1.25v 在 时间 t2, 在 这个 要点 这
3.3v
双
/3.3v
SB
错误 amplifier’s 涉及 输入 开始 它的
转变, 造成 这 输出 电压 至 ramp 向上
按比例地. 这 ramp-向上 持续 直到 时间 T3 当 这
3.3v
双
/3.3v
SB
电压 reaches 这 设置 值. 之后 这个
输出 reached 它的 设置 值, 作 这 软-开始 电容
电压 reaches 大概 2.75v, 这 下面-电压
monitoring 电路 的 这个 输出 是 使活动 和 这 软-开始
电容 是 quickly 释放 至 大概 1.25v.
下列的 这 3ms (典型) 时间-输出 在 T3 和 t4, 这
msel 和 en5vdl selections 是 latched 在, 和 这 软-
开始 电容 commences 一个 第二 ramp-向上 设计 至
smoothly bring 向上 这 remainder 的 这 电压 必需的 用
这 系统. 在 时间 t5 所有 电压 是 在里面 规章制度
限制, 和 作 这 ss 电压 reaches 2.75v, 所有 这
remaining UV monitors 是 使活动 和 这 SS 电容 是
quickly 释放 至 1.25v, 在哪里 它 仍然是 直到 这 next
转变.
图示 5. 5V
双
定时 图解 为 EN5VDL = 0;
3V
双
/3v
SB
5VSB
3.3v,
S3
S5
5VDLSB
DLA
3V3DLSB
3V3DL
5VDL
5v, 12v
图示 6. 2.5v
MEM
, 3.3v
MEM
, 和 2.5v
CLK
定时
图解; msel floating (不 连接)
5VSB
3.3v,
S3
S5
DRV2
vsen1, 2
VSEN2
内部的
设备
VCLK
DLA
VSEN1
5v, 12v
图示 7. 软-开始 间隔 在 一个 睡眠 状态
(所有 输出 使能)
0V
0V
时间
软-开始
(1v/div)
输出
(1v/div)
电压
V
OUT1
(3.3v
MEM
)
V
OUT2
V
OUT5
(5v
双
)
T1 T2
T3
T0
5VSB
(1v/div)
T5T4
V
OUT3
(3.3v
双
/3.3v
SB
)
(2.5v
MEM
)
V
OUT4
(2.5v
CLK
)
HIP6502B
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